[实用新型]无线电力发射/接收设备、无线电力发射和接收电路有效
申请号: | 201720614617.1 | 申请日: | 2017-05-27 |
公开(公告)号: | CN206908385U | 公开(公告)日: | 2018-01-19 |
发明(设计)人: | A·L·维塔利;M·加利齐 | 申请(专利权)人: | 意法半导体公司;意法半导体股份有限公司 |
主分类号: | H02J50/10 | 分类号: | H02J50/10;H02J7/00;H02J7/02 |
代理公司: | 北京市金杜律师事务所11256 | 代理人: | 王茂华,崔卿虎 |
地址: | 美国得*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 无线 电力 发射 接收 设备 电路 | ||
1.一种无线电力发射/接收设备,其特征在于,包括:
电力发射/接收元件;
多个开关,所述多个开关中的每个具有控制端子和导电端子,所述导电端子耦合到所述电力发射/接收元件;
电流传感器,其被配置成用于感测通过所述电力发射/接收元件的电流;以及
控制器,其耦合到所述电流传感器和所述多个开关,所述控制器被配置成用于基于所述感测到的电流来控制所述多个开关。
2.如权利要求1所述的设备,其特征在于,所述电力发射/接收元件包括感应线圈。
3.如权利要求1所述的设备,其特征在于,进一步包括多个开关驱动器,所述多个开关驱动器中的每个耦合到所述多个开关中的对应开关的控制端子。
4.如权利要求1所述的设备,其特征在于,所述多个开关包括布置成具有高侧端子和低侧端子的H桥的第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管和第四晶体管,
所述第一晶体管和所述第二晶体管具有与所述高侧端子耦合的对应第一导电端子,
所述第三晶体管和所述第四晶体管具有与所述低侧端子耦合的对应第一导电端子,
所述第一晶体管和所述第三晶体管具有与所述电力发射/接收元件的第一端子耦合的对应第二导电端子,并且
所述第二晶体管和所述第四晶体管具有与所述电力发射/接收元件的第二端子耦合的对应导电端子。
5.如权利要求1所述的设备,其特征在于,所述多个开关包括布置成具有高侧端子和低侧端子的半H桥的第一晶体管和第二晶体管,
所述第一晶体管具有耦合到所述高侧端子的第一导电端子,
所述第二晶体管具有第一导电端子,所述第一导电端子耦合到所述低侧端子并且耦合到所述电力发射/接收元件的第一端子,并且
所述第一晶体管和所述第二晶体管具有与所述电力发射/接收元件的第二端子耦合的对应第二导电端子。
6.如权利要求1所述的设备,其特征在于,所述电力发射/接收元件包括中心抽头线圈,所述中心抽头线圈具有第一端子、第二端子和中心抽头端子,所述多个开关包括第一晶体管和第二晶体管,所述第一晶体管具有与所述中心抽头线圈的所述第一端子耦合的第一导电端子,所述第二晶体管具有与所述中心抽头线圈的所述第二端子耦合的第一导电端子。
7.如权利要求1所述的设备,其特征在于,进一步包括电感扼流圈,所述电感扼流圈具有与所述电力发射/接收元件的第一端子耦合的第一端子,其中,所述多个开关包括第一晶体管和第二晶体管,所述第一晶体管具有与所述电感扼流圈的第二端子耦合的第一导电端子,所述第二晶体管具有与所述电力发射/接收元件的所述第一端子耦合的第一导电端子以及与所述电力发射/接收元件的第二端子耦合的第二导电端子。
8.如权利要求1所述的设备,其特征在于,进一步包括第一电感扼流圈和第二电感扼流圈,所述第一电感扼流圈具有与所述电力发射/接收元件的第一端子耦合的第一端子,所述第二电感扼流圈具有与所述电力发射/接收元件的第二端子耦合的第一端子,
其中,所述多个开关包括第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管和第四晶体管,所述第一晶体管具有与所述第一电感扼流圈的第二端子耦合的第一导电端子,
所述第二晶体管具有与所述电力发射/接收元件的第一端子耦合的第一导电端子,
所述第三晶体管具有与所述第二电感扼流圈的第二端子耦合的第一导电端子,
所述第四晶体管具有与所述电力发射/接收元件的所述第二端子耦合的第一导电端子。
9.如权利要求1所述的设备,其特征在于,进一步包括多个电压传感器,所述多个电压传感器被配置成用于感测所述多个开关中的对应开关两端的电压。
10.一种无线电力发射和接收电路,其特征在于,包括:
电感线圈;
多个开关,所述多个开关中的每个具有控制端子和导电端子,所述导电端子耦合到所述电感线圈;以及
电流传感器,其被配置成用于感测通过所述电感线圈的电流;
其中,在电力接收模式下,所述电路被配置成用于生成经整流的电力信号,
其中,在电力发射模式下,所述电路被配置成用于生成脉宽调制PWM电力信号。
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