[实用新型]适用于晶圆级测试的治具

说明书

技术领域

本实用新型涉及集成电路测试技术领域，尤其涉及一种适用于晶圆级测试的治具。

背景技术

CMOS（Complementary Metal Oxide Semiconductor，互补金属氧化物半导体）图像传感器的制作过程为：设计、晶圆生产、彩色滤膜、芯片级封装（Chip Scale Package，CSP）、测试。在晶圆测试步骤中，需要对晶圆上的晶粒（Die）进行电性测试，以确保在封装之前，硅晶圆上的晶粒是合格的产品，晶圆测试是确保半导体器件良率的关键步骤之一。

一般的，CMOS图像传感器在正常使用过程中会存在发热现象，产生噪声，影响图像传感器的性能、寿命等，现有技术中，并未提供对应于相应环境的治具或辅助装置对图像传感器晶圆进行测试，例如若进行不同温度测试时，往往将晶圆放置于不同室温中进行测试，测试较为复杂，并且对晶圆的实际温度难以控制，因此，在晶圆测试过程中需要对晶圆的测试环境进行调整，提高晶圆的温度，测试高温下晶圆的性能，提高测试准确性。

实用新型内容

本实用新型的目的在于提供一种适用于晶圆级测试的治具，模拟测试晶圆的使用环境，测试高温下晶圆的性能，提高测试的准确性。

为了解决上述技术问题，本实用新型提供一种适用于晶圆级测试的治具，包括：

基板；

分别位于基板至少一侧面的多个探针及至少一个加热棒，所述加热棒通过所述基板将热量传递至所述探针，通过所述探针加热测试芯片；

温度传感器，用于检测所述基板的温度。

可选的，所述加热棒与所述探针依次错开设置。

可选的，所述测试芯片的表面具有锡球，所述锡球与所述探针连接，所述探针通过所述锡球将热量传递至所述测试芯片，以加热所述测试芯片。

可选的，所述治具还包括：多个导流槽，多个导流槽与所述加热棒位于基板的同一侧面。

可选的，所述导流槽位于所述加热棒延伸的方向上，且多个导流槽之间相互连通。

可选的，所述基板与电路板连接，所述基板与所述电路板之间形成密闭腔，所述电路板远离所述基板的一侧连接进气管，用于向所述基板的导流槽中通入气流。

可选的，所述治具还包括：多个散热气孔，多个散热气孔与所述探针位于所述基板的同一侧面。

可选的，所述散热气孔与所述加热棒相对设置，且每个所述加热棒对应多个散热气孔。

可选的，所述基板的温度范围为20℃~60℃。

相对于现有技术，本实用新型中适用于晶圆级测试的治具具有以下有益效果：

本实用新型中，采用兼容设置于治具中的加热棒对所述基板进行加热，通过基板将热量传递至探针，从而加热测试晶圆，使得测试过程中，测试晶圆的环境与使用环境接近，由于加热棒和热传递结构的设计能较好的控制晶圆对应的温度，可测试高温下晶圆的性能，提高产品测试的准确性。

附图说明

图1为本实用新型一实施例中治具一侧面的结构示意图；

图2为本实用新型一实施例中治具一侧面的结构示意图；

图3为本实用新型一实施例中治具测试晶圆的结构示意图。

具体实施方式

在下面的描述中阐述了很多具体细节以便于充分理解本实用新型。但是本实用新型能够以很多不同于在此描述的其它方式来实施，本领域技术人员可以在不违背本实用新型内涵的情况下做类似推广，因此本实用新型不受下面公开的具体实施的限制。

其次，本实用新型利用示意图进行详细描述，在详述本实用新型实施例时，为便于说明，所述示意图只是实例，其在此不应限制本实用新型保护的范围。

为使本实用新型的上述目的、特征和优点能够更为明显易懂，以下结合附图对本实用新型的适用于晶圆级测试的治具进行详细描述。

参考图1和图2所示，所述治具包括：基板1；分别位于基板1至少一侧面的多个探针2及至少一个加热棒3，本实施例中，探针2和加热棒3分别位于基板1的正反两侧面，当然在本实用新型的其他实施例中，探针2和加热棒3还可以位于所述基板1的同一侧面，本实用新型对此不予限制。

进一步的，治具包括多个加热棒3，例如，包括4~6个加热棒，多个加热棒3之间相互并联。治具包括例如4~6个探针，每个探针2的表面具有测试用探针，并对应一个测试晶圆上的晶粒。测试过程中，加热棒3两端接电源，产生热量，基板1为导热材料，例如铝材料，导热性能良好，所述加热棒3通过所述基板1将热量传递至所述探针2，探针2与测试晶圆接触，通过所述探针2加热测试晶圆。