[实用新型]阵列基板、显示面板及显示装置

说明书

技术领域

本实用新型涉及显示技术领域，特别涉及一种阵列基板、显示面板及显示装置。

背景技术

内嵌式触控显示(英文：Full in cell)面板的阵列基板通常包括：叠加设置的薄膜晶体管(英文：Thin Film Transistor；简称：TFT)、触摸金属图案(英文：Touch pattern Metal；简称：TPM)、平坦层、公共电极、钝化层和像素电极。其中，公共电极和像素电极可以作为Full in Cell面板的两个触控电极，该TPM分别与该公共电极和触控驱动电路连接，用于在公共电极和触控驱动电路之间传输触控信号。

相关技术中，TPM与TFT中的源漏极图形同层设置，两者均由金属制成，并且，TPM的电阻是影响阵列基板的驱动电阻的主要因素。

通过同一次构图工艺形成TPM与源漏极图形时，由于源漏极具有较大的厚度，使得TPM的厚度也较大，导致TPM电阻较大，相应地，阵列基板的驱动电阻较大，进而使驱动信号的衰减较大。

实用新型内容

为了解决相关技术中TPM的厚度较大，导致TPM电阻较大的问题，本实用新型提供了一种阵列基板、显示面板及显示装置，所述技术方案如下：

第一方面，提供了一种阵列基板，所述阵列基板包括：

依次叠加设置在衬底基板上的薄膜晶体管TFT、平坦层、公共电极、钝化层和触摸金属图案TPM；

所述钝化层上设置有第一过孔；

所述TPM通过所述第一过孔与所述公共电极连接。

可选地，所述TPM为氧化铟锡ITO图案，所述公共电极为ITO电极。

可选地，所述TPM为石墨烯图案，所述公共电极为石墨烯电极。

可选地，所述阵列基板还包括：设置在所述钝化层远离所述衬底基板一侧的像素电极；

所述像素电极与所述TPM同层设置且存在间隙，且所述像素电极通过第二过孔与所述TFT的源极或漏极连接。

可选地，所述像素电极为ITO电极或石墨烯电极。

可选地，所述第一过孔在所述衬底基板上的正投影与所述第二过孔在所述衬底基板上的正投影不重叠。

可选地，所述平坦层的厚度大于所述钝化层的厚度。

可选地，所述TFT包括依次设置在所述衬底基板上的有源层、栅绝缘层、栅极、层间介电层和源漏极图形，所述源漏极图形包括源极和漏极；

所述阵列基板还包括：依次叠加设置在所述衬底基板和所述有源层之间的遮光层和缓冲层。

第二方面，提供了一种显示面板，所述显示面板包括第一方面任一所述的阵列基板。

第三方面，提供了一种显示装置，所述显示装置包括第二方面所述的显示面板。

本实用新型提供的技术方案带来的有益效果是：

本实用新型实施例提供的阵列基板、显示面板及显示装置，通过在衬底基板上依次叠加设置TFT、平坦层、公共电极、钝化层和TPM，且在钝化层上设置有第一过孔，使TPM通过第一过孔与公共电极连接，相对于在同一次构图工艺中形成TPM和具有较大厚度的源漏极图形的相关技术，可以为TPM设置较小的厚度，减小了阵列基板的驱动电阻，进而减小了阵列基板中驱动信号的衰减程度，继而有效地提高了阵列基板的驱动能力。

附图说明

为了更清楚地说明本实用新型实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本实用新型的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1是本实用新型实施例提供的一种阵列基板的结构示意图；

图2是本实用新型实施例提供的另一种阵列基板的结构示意图；

图3-1是本实用新型实施例提供的一种阵列基板的制造方法的流程图；

图3-2是本实用新型实施例提供的一种在衬底基板上形成TFT后的结构示意图；

图3-3是本实用新型实施例提供的一种在在形成有TFT的衬底基板上形成平坦层图案后的结构示意图；

图3-4是本实用新型实施例提供的一种在形成有平坦层图案的衬底基板上形成公共电极图案后的结构示意图；

图3-5是本实用新型实施例提供的一种在形成有公共电极图案的衬底基板上形成钝化层图案后的结构示意图；

图4是本实用新型实施例提供的一种显示面板中子像素、TPM和黑矩阵之间的位置示意图；

图5是相关技术中子像素、TPM和黑矩阵之间的位置示意图。

具体实施方式