[实用新型]一种基于SAS级联构建的存储架构有效
申请号: | 201720639635.5 | 申请日: | 2017-06-02 |
公开(公告)号: | CN206757587U | 公开(公告)日: | 2017-12-15 |
发明(设计)人: | 谭世伟 | 申请(专利权)人: | 郑州云海信息技术有限公司 |
主分类号: | G06F3/06 | 分类号: | G06F3/06 |
代理公司: | 济南舜源专利事务所有限公司37205 | 代理人: | 张亮 |
地址: | 450000 河南省郑州市*** | 国省代码: | 河南;41 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 基于 sas 级联 构建 存储 架构 | ||
技术领域
本发明涉及数据储存领域,尤其涉及一种基于SAS级联构建的存储架构。
背景技术
在服务器存储中,现有存储系统本身存在缺陷,当存储系统中的一套存储系统宕机时,这将导致存储系统后边的硬盘系统脱机,导致系统无法使用该脱机的硬盘系统,对服务器工作造成影响。
发明内容
为了克服上述现有技术中的不足,本发明提供一种基于SAS级联构建的存储架构,包括:多个储存单体;储存单体包括:SAS switch主板以及多个储存装置;
SAS switch主板分别与每个储存装置连接;
SAS switch主板还分别与系统服务器的CPU连接;
SAS switch主板与每个储存装置采用minisas数据线连接。
优选地,储存单体与储存单体之间采用minisas数据线连接。
优选地,储存装置采用JBOD或硬盘。
优选地,SAS switch主板设有热插拔电路以及热插拔保护电路。
优选地,热插拔保护电路包括:场效应管Q1,控制器U4,电阻R1,二极管D1,第一运算放大器U1,第二运算放大器U2,逻辑与门U3;
热插拔保护电路输入端分别与电阻R1的第一端和场效应管Q1的D极连接,电阻R1的第二端与二极管D1阳极连接,二极管D1阴极与第一运算放大器U1正向输入端连接;
第一运算放大器U1负向输入端分别与场效应管Q1的S极,热插拔保护电路输出端Uout连接;
控制器U4的VCC端分别与热插拔保护电路输入端Uin连接;控制器U4的GND端接地,控制器U4的EN端接收使能VEN信号;场效应管Q1的G极与控制器U4的GATE端连接;
第一运算放大器U1输出端与第二运算放大器U2的负向输入端连接,第二运算放大器U2的正向输入端连接参考电压输入端VR;第二运算放大器U2的输出端连接逻辑与门U3的第二端,逻辑与门U3的第一端接收使能VEN信号。
优选地,热插拔电路采用LTC4364-2及其外围电路,或采用MAX4271及其外围电路。
从以上技术方案可以看出,本发明具有以下优点:
在原有存储系统上增加多个储存单体,通过服务器背板构建储存单体与储存单体之间的连接,以及储存单体的SAS switch主板与多个储存装置连接,以及SAS switch主板与CPU之间的连接。这样系统后端盘阵对所有的控制器来说均是全局,不会存在本地控制器宕机后,后端硬盘无法识别的问题。
附图说明
为了更清楚地说明本发明的技术方案,下面将对描述中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为储存单体的示意图;
图2为基于SAS级联构建的存储架构的整体示意图;
图3为热插拔保护电路电路图。
具体实施方式
为使得本发明的发明目的、特征、优点能够更加的明显和易懂,下面将运用具体的实施例及附图,对本发明保护的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,下面所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例,而非全部的实施例。基于本专利中的实施例,本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其它实施例,都属于本专利保护的范围。
本实施例提供一种基于SAS级联构建的存储架构,如图1、图2所示,包括:多个储存单体10;储存单体10包括:SAS switch主板1以及多个储存装置2;
SAS switch主板1分别与每个储存装置2连接;SAS switch主板1还分别与系统服务器的CPU4连接;SAS switch主板1与每个储存装置2采用minisas数据线3连接。
本实施例中,储存单体10与储存单体10之间采用minisas数据线连接。
储存装置2采用JBOD或硬盘。SAS switch主板1设有热插拔电路以及热插拔保护电路。
SAS switch主板1可外接多个储存装置2以及CPU。SAS switch主板1上行与CPU节点相连,SAS switch主板1下行连接多个储存装置2。
SAS switch主板1外部扩展多个Minisas SAS接口或者使用Minisas HD connecter,SAS switch主板1支持热插拔。
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