[实用新型]双吸嘴有效
申请号: | 201720640353.7 | 申请日: | 2017-06-02 |
公开(公告)号: | CN206947317U | 公开(公告)日: | 2018-01-30 |
发明(设计)人: | 代克明;曾林波;肖华平 | 申请(专利权)人: | 广东瑞谷光网通信股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/683 | 分类号: | H01L21/683 |
代理公司: | 深圳市凯达知识产权事务所44256 | 代理人: | 刘大弯 |
地址: | 523000 广东*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 双吸嘴 | ||
技术领域
本实用新型涉及LD加工领域,尤其是涉及一种能同时搬运二个LD芯片的双吸嘴。
背景技术
LD(半导体激光器)具有效率高、寿命长、光束质量好、体积小、重量轻、可全固化等诸多优点,近年得到快速发展,并成为当今国际上激光领域最令人关注的研究热点。高功率及高能固体激光器在工业加工、医学以及军事领域有广泛应用前景和发展潜力。作为高功率固体激光器的核心部件-LD(半导体激光器),其技术水平及研制能力直接制约着固体激光器技术发展。近年来,固体激光器输出功率水平的大幅度提高并在强激光应用领域呈现的巨大发展潜力,正是得益于二极管激光器技术的突破进展。高功率二极管激光器技术包括两个主要方面,芯片制造技术和封装技术。随着激光输出功率的提高,高功率二极管激光器在单位面积上热功率密度增加,高功率二极管激光器封装工艺已成为其发展的瓶颈。LD封装工艺是将芯片粘结固定并密封保护的一种精密组装制造技术。LD封装设备包括清洗、固晶、固晶烘烤、焊线、点荧光粉、安装透镜、灌封透镜、测试包装等一套生产工艺;其核心是固晶和键合(焊线)工艺。在LD的芯片制造、管芯(模组)封装和产品应用三个方面,封装工艺和设备更接近于市场,对产业的推动作用更为直接。其中,共晶焊接技术是下一代倒装大功率LD芯片封装工艺中最为关健的核心技术之一,共晶焊技术的好坏会直接影响到大功率LD模组的发光效率、寿命、散热性能和终端产品质量。
发明内容
本实用新型目的在于提供一种能同时搬运二个LD芯片的双吸嘴。
本实用新型通过以下技术措施实现的,一种双吸嘴,包括固定板,所述固定板上固定有一电机,所述固定板表面上还垂直固定有一支撑板,所述电机的主轴可转动穿过支撑板,所述支撑板与电机相背的一面固定有二滑轨组件,各滑轨组件的滑轨上连接有吸嘴,所述电机的主轴同时传动二滑轨同步上下滑动。
作为一种优选方式,所述滑轨组件由相互滑动设置的滑轨和固定轨道组成,所述固定轨道固定在支撑板的外表面,所述滑轨的外表面固定有角度补偿电机,所述角度补偿电机的驱动轴向下且连接有吸嘴,所述电机主轴的顶端设置有一齿轮,二滑轨相邻的对边分别设置有与齿轮啮合的齿条。
作为一种优选方式,所述角度补偿电机的驱动轴通过联轴器连接吸嘴。
本实用新型与固定板垂直设置的支撑板的外表面平行设置有二滑轨组件,并在二滑轨组件的二滑轨上连接有二吸嘴,通过电机的主轴同时传动二滑轨同步上下滑动。本实用新型通过设置有二个平行的吸嘴,从而在工作时能通过一个电机转动使二吸嘴同步上下滑动,从而每次都能同步搬运二个LD芯片,加快了加工效率。
附图说明
图1为本实用新型实施例的结构示意图;
图2为本实用新型实施例的分解结构示意图。
具体实施方式
下面结合实施例并对照附图对本实用新型作进一步详细说明。
一种双吸嘴,参考图1和图2,包括固定板1,所述固定板1上固定有一电机2,所述固定板1表面上还垂直固定有一支撑板3,所述电机2的主轴可转动穿过支撑板3,所述支撑板3与电机2相背的一面固定有二滑轨组件,各滑轨组件的滑轨5上连接有吸嘴8,所述电机2的主轴同时传动二滑轨5同步上下滑动。
本吸嘴与固定板1垂直设置的支撑板3的外表面平行设置有二滑轨组件,并在二滑轨组件的二滑轨5上连接有二吸嘴8,通过电机2的主轴同时传动二滑轨5同步上下滑动。本吸嘴通过设置有二个平行的吸嘴8,从而在工作时能通过一个电机2转动使二吸嘴8同步上下滑动,从而每次都能同步搬运二个LD芯片,加快了加工效率。
本实用新型的双吸嘴,参考图1和图2,在前面技术方案的基础上具体是,滑轨组件由相互滑动设置的滑轨5和固定轨道4组成,所述固定轨道4固定在支撑板3的外表面,所述滑轨5的外表面固定有角度补偿电机6,所述角度补偿电机6的驱动轴向下且连接有吸嘴8,所述电机2主轴的顶端设置有一齿轮10,二滑轨5相邻的对边分别设置有与齿轮10啮合的齿条9。
本实用新型的双吸嘴,参考图1和图2,在前面技术方案的基础上具体是,角度补偿电机6的驱动轴通过联轴器7连接吸嘴8。
以上是对本实用新型双吸嘴进行了阐述,用于帮助理解本实用新型,但本实用新型的实施方式并不受上述实施例的限制,任何未背离本实用新型原理下所作的改变、修饰、替代、组合、简化,均应为等效的置换方式,都包含在本实用新型的保护范围之内。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造