[实用新型]用于中子捕获治疗的射束整形体

权利要求书

1.一种用于中子捕获治疗的射束整形体，其特征在于：所述射束整形体包括射束入口、靶材、邻接于所述靶材的缓速体、包围在所述缓速体外的反射体、与所述缓速体邻接的热中子吸收体、设置在所述射束整形体内的辐射屏蔽体和射束出口，所述靶材与自所述射束入口入射的质子束发生核反应以产生中子，所述中子形成中子射束，所述中子射束限定一根主轴，所述缓速体将自所述靶材产生的中子减速至超热中子能区，所述反射体将偏离所述主轴的中子导回所述主轴以汇聚超热中子，所述热中子吸收体用于吸收热中子以避免治疗时与浅层正常组织造成过多剂量，所述辐射屏蔽体用于屏蔽渗漏的中子和光子以减少非照射区的正常组织剂量，所述射束整形体还包括安装于所述射束整形体中并且能够从所述射束整形体中拆卸以改变中子射束照射范围的替换装置，所述替换装置形成所述射束出口。

2.根据权利要求1所述的用于中子捕获治疗的射束整形体，其特征在于：所述替换装置包括第一替换件和第二替换件，所述第一替换件包括远离所述靶材的具有第一直径的第一端和靠近所述靶材的具有第二直径的第二端，所述第二替换件包括远离所述靶材的具有第三直径的第三端和靠近所述靶材的具有第四直径的第四端，所述第一替换件的第一端形成具有第一口径的射束出口，所述第二替换件的第三端形成具有第二口径的射束出口，所述第一口径不等于第二口径。

3.根据权利要求2所述的用于中子捕获治疗的射束整形体，其特征在于：所述第一替换件具有连接第一端和第二端的主体部，所述主体部的外表面与所述主轴平行。

4.根据权利要求2所述的用于中子捕获治疗的射束整形体，其特征在于：所述第一替换件具有连接第一端和第二端的主体部，所述主体部的外表面自第一端向第二端倾斜形成直径逐渐变小的锥体状，所述主体部的内表面自第二端向第一端倾斜形成直径逐渐变小的锥体状。

5.根据权利要求2所述的用于中子捕获治疗的射束整形体，其特征在于：所述第一端设有贯穿至第二端的通孔，所述通孔在第一端上形成所述射束出口，所述中子射束自所述射束出口照射出。

6.根据权利要求2所述的用于中子捕获治疗的射束整形体，其特征在于：所述射束整形体具有内表面，所述辐射屏蔽体具有端部，所述第一替换件具有连接第一端和第二端的主体部，所述第一替换件自所述端部安装于所述射束整形体中，所述主体部的外表面与所述射束整形体的内表面接触，所述第一端与所述端部齐平或沿远离所述靶材的方向突出于所述端部。

7.根据权利要求6所述的用于中子捕获治疗的射束整形体，其特征在于：所述第一替换件沿质子束的入射方向设于缓速体的前侧而与所述端部齐平或沿远离所述靶材的方向突出于所述端部，所述第一替换件为部分反射体和/或部分辐射屏蔽体。

8.根据权利要求7所述的用于中子捕获治疗的射束整形体，其特征在于：所述缓速体包含两个相互邻接的锥体部，所述其中一个锥体部靠近射束入口，另一个锥体部靠近射束出口，所述第一替换件邻接于缓速体靠近所述射束出口的锥体部后侧。

9.根据权利要求1所述的用于中子捕获治疗的射束整形体，其特征在于：所述反射体由Pb或Ni中的任意一种或多种制成，所述辐射屏蔽体包括由Pb制成的光子屏蔽和由聚乙烯制成的中子屏蔽。

10.根据权利要求1所述的用于中子捕获治疗的射束整形体，其特征在于：所述射束整形体进一步用于加速器硼中子捕获治疗，加速器硼中子捕获治疗通过加速器将质子束加速，所述靶材由金属制成，所述质子束加速至足以克服靶材原子核库伦斥力的能量，与所述靶材发生核反应以产生中子，所述射束整形体能将中子缓速至超热中子能区，并降低热中子及快中子含量，超热中子能区在0.5eV到40keV之间，热中子能区小于0.5eV，快中子能区大于40keV。