[实用新型]电子器件有效
| 申请号： | 201720643615.5 | 申请日： | 2017-06-06 |
| 公开（公告）号： | CN207303109U | 公开（公告）日： | 2018-05-01 |
| 发明（设计）人： | P·莫恩斯;郭佳 | 申请（专利权）人： | 半导体元件工业有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L29/06 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所11038 | 代理人： | 申发振 |
| 地址： | 美国亚*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 电子器件 | ||
1.一种电子器件，包括：
第一沟道层；
第二沟道层，其覆盖在所述第一沟道层上面并且具有延伸通过所述第一沟道层的开口；
所述开口内的绝缘体；以及
延伸到所述开口中的栅极电极，其中所述绝缘体设置在所述栅极电极和所述第二沟道层之间，
其中双沟道晶体管包括所述第一沟道层和所述第二沟道层以及所述栅极电极。
2.根据权利要求1所述的电子器件，还包括：
设置在所述第一沟道层和所述第二沟道层之间的第一半导体层；以及
设置在所述第二沟道层上方的第二半导体层。
3.根据权利要求2所述的电子器件，其中所述绝缘体设置在所述栅极电极和所述第二半导体层之间。
4.根据权利要求2所述的电子器件，其中：
所述第一沟道层是第一GaN沟道层；
所述第一半导体层是第一AlbGa(1-b)N层，其中0.10≤b≤0.30；
所述第二沟道层是第二GaN沟道层；以及
所述第二半导体层包括第二AldGa(1-d)N层，其中0.15≤d≤0.35。
5.根据权利要求2所述的电子器件，其中所述第一沟道层比所述第二沟道层厚，并且具有至多1000nm的厚度。
6.根据权利要求2所述的电子器件，还包括覆盖在所述第二半导体层上面的钝化层。
7.根据权利要求2所述的电子器件，其中所述第一沟道层和所述第二沟道层以及所述第一半导体层和所述第二半导体层中的每一者具有至多1×1015原子/cm3的掺杂物浓度。
8.根据权利要求2所述的电子器件，还包括：
覆盖在衬底上面的源极电极，其中所述源极电极的最下表面覆盖在所述第二半导体层上面；以及
覆盖在所述衬底上面的漏极电极，其中所述源极电极的最下表面覆盖在所述第二半导体层上面。
9.根据权利要求1至权利要求8中任一项所述的电子器件，还包括电气连接至所述第一沟道层和所述第二沟道层的导电构件，其中所述导电构件设置在所述绝缘体和所述第二沟道层之间。
10.一种电子器件，所述电子器件包括晶体管，所述晶体管包括：
第一沟道层；
覆盖在所述第一沟道层上面的第二沟道层；
源极电极；
漏极电极；以及
电气连接至所述第一沟道层和所述第二沟道层并且与所述源极电极和所述漏极电极间隔开的导电构件。
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