[实用新型]带隙基准电路

权利要求书

1.一种带隙基准电路，包括：

第一电阻器，所述第一电阻器具有第一端子和第二端子；

第一晶体管，所述第一晶体管具有基极、耦接到所述第一电阻器的所述第二端子的发射极和耦接到参考电压端子的集电极；

第二电阻器，所述第二电阻器具有耦接到所述第一电阻器的所述第一端子的第一端子，以及第二端子；

第三电阻器，所述第三电阻器具有耦接到所述第二电阻器的所述第二端子的第一端子，以及第二端子；

第二晶体管，所述第二晶体管具有基极、耦接到所述第三电阻器的所述第二端子的发射极和耦接到所述参考电压端子的集电极；

放大器，所述放大器具有耦接到所述第一电阻器的所述第二端子的第一端子、耦接到所述第二电阻器的所述第二端子的第二端子以及耦接到所述第一电阻器和所述第二电阻器的所述第一端子的输出端；

第一基极电阻器，所述第一基极电阻器具有耦接到所述第一晶体管的所述基极的第一端子以及耦接到所述参考电压端子的第二端子，其中所述第一基极电阻器的电阻被设置为等于所述第一晶体管的跨导的倒数；以及

第二基极电阻器，所述第二基极电阻器具有耦接到所述第二晶体管的所述基极的第一端子以及耦接到所述参考电压端子的第二端子，其中所述第二基极电阻器的电阻被设置为等于所述第二晶体管的跨导的倒数。

2.根据权利要求1所述的带隙基准电路，其中所述放大器是运算跨导放大器。

3.根据权利要求1所述的带隙基准电路，其中所述第一晶体管和所述第二晶体管是PNP双极晶体管。

4.根据权利要求1所述的带隙基准电路，其中所述第一电阻器和所述第二电阻器具有相等的值，并且所述第一晶体管具有与所述第二晶体管的发射极面积不同的发射极面积。

5.一种带隙基准电路，包括：

ΔVbe/R电路部分，所述ΔVbe/R电路部分具有分别从第一端子和第二端子开始的通过第一双极晶体管和第二双极晶体管的第一电流路径和第二电流路径，其中所述第一双极晶体管和所述第二双极晶体管具有不同的发射极面积，并且所述第二电流路径包括电阻器；以及

放大电路部分，所述放大电路部分用于向所述ΔVbe/R电路部分的所述第一端子和所述第二端子中的每一者提供电流，并响应于所述ΔVbe/R电路部分的所述第一端子和所述第二端子之间的电压差而改变所述电流，

其中所述ΔVbe/R电路部分还包括分别耦接到所述第一双极晶体管的基极和所述第二双极晶体管的基极的第一基极电阻器和第二基极电阻器，所述第一基极电阻器的电阻和所述第二基极电阻器的电阻被设置为分别等于所述第一双极晶体管的跨导的倒数和所述第二双极晶体管的跨导的倒数。

6.根据权利要求5所述的带隙基准电路，其中所述第一双极晶体管和所述第二双极晶体管是PNP双极晶体管，并且其中所述第一基极电阻器和所述第二基极电阻器耦接在所述第一双极晶体管的所述基极和第二双极晶体管的所述基极与参考电压端子之间。

7.根据权利要求5所述的带隙基准电路，其中所述第二电流路径的所述电阻器包括：

耦接到所述第二双极晶体管的所述发射极的第一端子；以及

耦接到所述放大电路的第二端子。

8.根据权利要求5所述的带隙基准电路，其中所述第一双极晶体管和所述第二双极晶体管是NPN双极晶体管，所述NPN双极晶体管各自包括集电极，并且其中所述第一基极电阻器和所述第二基极电阻器中的每一者耦接在所述第一双极晶体管和所述第二双极晶体管的 相应基极与所述第一双极晶体管和所述第二双极晶体管的相应集电极之间。

9.根据权利要求5所述的带隙基准电路，其中所述放大电路部分包括运算跨导放大器。

10.根据权利要求5所述的带隙基准电路，还包括：

具有第一端子和第二端子的第一电阻器；以及

具有第一端子和第二端子的第二电阻器；

其中所述第一电阻器的所述第一端子耦接到所述ΔVbe/R电路部分的所述第一端子，并且所述放大电路部分的第一输入端和所述第一电阻器的所述第二端子耦接到所述放大电路部分的输出端；并且

其中所述第二电阻器的所述第一端子耦接到所述ΔVbe/R电路部分的所述第二端子，并且所述放大电路部分的输入端和所述第二电阻器的所述第二端子耦接到所述放大电路部分的所述输出端。