[实用新型]一种多晶硅生产用的还原罩内壁镀银的磁控溅射装置有效

专利信息
申请号: 201720651193.6 申请日: 2017-06-06
公开(公告)号: CN207016848U 公开(公告)日: 2018-02-16
发明(设计)人: 肖世洪 申请(专利权)人: 广州市新佑宏科技有限公司
主分类号: C23C14/35 分类号: C23C14/35;C23C14/14;C23C14/04
代理公司: 佛山帮专知识产权代理事务所(普通合伙)44387 代理人: 颜春艳
地址: 510880 广东省广州*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 一种 多晶 生产 还原 内壁 镀银 磁控溅射 装置
【权利要求书】:

1.一种多晶硅生产用的还原罩内壁镀银的磁控溅射装置,其特征在于,包括还原罩底座、真空泵组、旋转框架、阴极组件以及旋转驱动机构,所述还原罩底座用于放置倒扣的还原罩形成密闭空间,还原罩底座上方设有旋转框架,所述旋转框架包括侧框架和顶框架,旋转框架的下端通过所述旋转驱动机构驱动旋转,而旋转驱动机构的旋转轴与还原罩底座之间密封,旋转轴中还设有氩气输入孔,用于向还原罩与还原罩底座之间的密闭空间输入氩气;所述阴极组件包括若干阴极件,且阴极件设于所述旋转框架的侧框架和顶框架上,所述阴极件包括磁钢和银靶材,其中磁钢磁场的磁力线跑道指向还原罩内壁,此外,阴极件分别连接有电源,电源用于使阳极与阴极间形成负电压;所述真空泵组在还原罩底座上连通还原罩与还原罩底座之间的密闭空间,用于对密闭空间抽真空。

2.根据权利要求1所述的装置,其特征在于,所述阳极为还原罩或者另外增设的阳极件。

3.根据权利要求1所述的装置,其特征在于,所述还原罩底座下方设有底座支架。

4.根据权利要求1所述的装置,其特征在于,所述真空泵组包括依次连接的一级泵、二级泵和三级泵,所述一级泵为分子泵或者扩散泵,所述二级泵为罗茨真空泵,所述三级泵为机械式真空泵,其中,一级泵连接在还原罩底座上。

5.根据权利要求1所述的装置,其特征在于,所述电源设置在旋转驱动机构的旋转轴上。

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