[实用新型]一种控制电路、偏置电路

说明书

技术领域

本实用新型涉及功率放大器的偏置电路，尤其涉及一种控制电路、偏置电路。

背景技术

功率放大器是一种有源电路，需要偏置电路来提供合适的偏置直流电流和偏置直流电压,才能正常工作，以满足功率放大器的各项指标，如线性度、效率、功率大小等等。

在某些应用场合，需要根据不同需求，调整参考直流电流的大小、各偏置器件的偏置状态，通过使用同一偏置电路产生不同的功率，同时还需要满足功率放大器的各项指标，如线性度、功耗等等。

现有技术中，利用可调偏置电路实现不同功率的输出，但存在的缺点是：直流电流控制精度差、调试不方便、偏置器件的工艺偏差和温度漂移使输出的功率大小和线性度发生漂移。

因此，如何控制同一个偏置电路产生不同的功率输出以及满足线性度的稳定指标是目前亟待解决的问题。

实用新型内容

为解决现有存在的技术问题，本实用新型实施例提供一种控制电路、偏置电路。

本实用新型实施例的技术方案是这样实现的：

本实用新型实施例提供一种控制电路，应用于偏置电路，所述偏置电路包括：第一晶体管及第二晶体管；所述第一晶体管的栅极与第二晶体管的栅极连接；所述第一晶体管及第二晶体管为将所述偏置电路的输入参考直流电流进行放大得到偏置直流电流，且所述第二晶体管利用所述偏置直流电流，并基于偏置电路的输入信号得到目标输出信号的晶体管；所述控制电路包括：

将第一直流电压与第二直流电压进行比较，得到比较结果的检测电路；以及，

利用比较结果调整所述第一直流电压及第二直流电压，使得偏置电路工作中第一晶体管的漏端直流电压与第二晶体管的漏端直流电压相同的调整电路；

其中，所述第一直流电压为第一晶体管的漏端直流电压；所述第二直流电压为第二晶体管的漏端直流电压。

上述方案中，调整电路为利用比较结果，控制第一晶体管和第二晶体管的导通程度，以调整第一直流电压及第二直流电压的调整电路。

上述方案中，调整电路为利用比较结果，通过上拉或下拉第一晶体管和第二晶体管的栅极直流电压，控制第一晶体管和第二晶体管的导通程度，以调整第一直流电压及第二直流电压的调整电路。

本实用新型实施例提供一种偏置电路，包括：

第一晶体管；

第二晶体管；所述第一晶体管的栅极与第二晶体管的栅极连接；所述第一晶体管及第二晶体管为将所述偏置电路的输入参考直流电流进行放大得到偏置直流电流；且所述第二晶体管利用所述偏置直流电流，并基于所述偏置电路的输入信号，得到目标输出信号的晶体管；

利用生成的与功率等级匹配的第一偏置直流电压控制第三晶体管输出目标输出信号，使得目标输出信号满足预设线性关系的电压生成电路；以及

控制电路；所述控制电路包括：将第一直流电压与第二直流电压进行比较，得到比较结果的检测电路；以及利用比较结果调整所述第一直流电压及第二直流电压，使得偏置电路工作中第一晶体管的漏端直流电压与第二晶体管的漏端直流电压相同的调整电路；其中，所述第一直流电压为第一晶体管的漏端直流电压；所述第二直流电压为第二晶体管的漏端直流电压。

上述方案中，所述调整电路为利用比较结果，控制第一晶体管和第二晶体管的导通程度，以调整第一直流电压及第二直流电压的调整电路。

上述方案中，所述调整电路为利用比较结果，通过上拉或下拉第一晶体管和第二晶体管的栅极直流电压，控制第一晶体管和第二晶体管的导通程度，以调整第一直流电压及第二直流电压的调整电路。

上述方案中，所述电压生成电路为生成与功率等级匹配的第二偏置直流电压，所述第二偏置直流电压作为第一晶体管、第二晶体管的栅极直流电压的电压生成电路；所述第一偏置直流电压与第二偏置直流电压满足预设条件；所述第二直流电压随着第一偏置直流电压、第二偏置直流电压的变化而变化。

上述方案中，所述电压生成电路为利用至少一个电阻和至少一个电流源生成与功率等级匹配的至少一个第一偏置直流电压，每个第一偏置直流电压控制一个第三晶体管并输出目标输出信号，使得目标输出信号满足预设线性关系的电压生成电路。