[实用新型]SMD环氧树脂封装音叉晶体有效
申请号: | 201720661193.4 | 申请日: | 2017-06-08 |
公开(公告)号: | CN206850738U | 公开(公告)日: | 2018-01-05 |
发明(设计)人: | 肖旭辉 | 申请(专利权)人: | 湖南省福晶电子有限公司 |
主分类号: | H03H9/21 | 分类号: | H03H9/21 |
代理公司: | 湖南省娄底市兴娄专利事务所43106 | 代理人: | 朱成实 |
地址: | 417625 湖南省娄*** | 国省代码: | 湖南;43 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | smd 环氧树脂 封装 音叉 晶体 | ||
技术领域
本实用新型涉及电子元件技术领域,尤其是指SMD环氧树脂封装音叉晶体。
背景技术
(SMD即表面贴装技术,传统技术是插件式)由电极台阶、晶片、盖板三层组成,其密封性差,结构较为松散。
发明内容
本实用新型的目的在于克服现有技术的不足,提供一种结合性好、结构紧密、密封性好的SMD环氧树脂封装音叉晶体。
为实现上述目的,本实用新型所提供的技术方案为:SMD环氧树脂封装音叉晶体,它包括有基板,基板呈长方形,基板板面上设有上下贯穿的U形槽,U形槽沿基板长度方向分布,U形槽两侧形成第一音叉臂和第二音叉臂,基板端部设有第一电极槽和第二电极槽,第一音叉臂外端设有第三电极,第二音叉臂外端设有第四电极,第一音叉臂中部设有上下贯穿的第一晶片槽,第二音叉臂中部设有上下贯穿的第二晶片槽,第一晶片槽一端与第二电极槽之间通过阶梯状的第一沉槽连接,第二晶片槽一端与第一电极槽之间通过阶梯状的第二沉槽连接,第一沉槽位于基板表面,第二沉槽位于基板背面,第一晶片槽内嵌有第一晶片、第二晶片槽内嵌有第二晶片,第一电极槽内嵌有第一电极,第二电极槽内嵌有第二电极,第一沉槽内设有第一连接导体,第二沉槽内设有第二连接导体,第二晶片一端通过第一连接导体与第一电极相连接,第二晶片另一端与第三电极连接,第一晶片一端通过第二连接导体与第二电极连接,第一晶片另一端与第四电极连接;基板表面设有盖板,盖板与基板的边缘处通过环氧树脂密封。
所述的第一晶片槽、第二片槽均沿长度方向分布在第一音叉臂、第二音叉臂上。
所述的盖板采用陶瓷材料制作成形,盖板扣合在相应的晶片、连接导体表面。
本方案通过增加陶瓷盖板,再通过环氧树脂密封成型,其结合性好,结构紧密,密封性好。
附图说明
图1为本实用新型的整体结构示意图。
图2为本实用新型的盖板结构示意图。
具体实施方式
下面结合所有附图对本实用新型作进一步说明,本实用新型的较佳实施例为:参见附图1和附图2,本实施例所述的SMD环氧树脂封装音叉晶体包括有基板1,基板1呈长方形,基板1板面上设有上下贯穿的U形槽,U形槽沿基板1长度方向分布,U形槽两侧形成第一音叉臂和第二音叉臂,基板1端部设有第一电极槽和第二电极槽,第一音叉臂外端设有第三电极4,第二音叉臂外端设有第四电极5,第一音叉臂中部设有上下贯穿的第一晶片槽,第二音叉臂中部设有上下贯穿的第二晶片槽,第一晶片槽一端与第二电极槽之间通过阶梯状的第一沉槽连接,第二晶片槽一端与第一电极槽之间通过阶梯状的第二沉槽连接,所述的第一晶片槽、第二晶片槽均沿长度方向分布在第一音叉臂、第二音叉臂上,第一沉槽位于基板1表面,第二沉槽位于基板1背面,第一晶片槽内嵌有第一晶片6、第二晶片槽内嵌有第二晶片7,第一电极槽内嵌有第一电极2,第二电极槽内嵌有第二电极3,第一沉槽内设有第一连接导体,第二沉槽内设有第二连接导体,第二晶片7一端通过第一连接导体与第一电极2相连接,第二晶片7另一端与第三电极4连接,第一晶片6一端通过第二连接导体与第二电极3连接,第一晶片6另一端与第四电极5连接;基板1表面设有盖板8,盖板8采用陶瓷材料制作成形,盖板8扣合在相应的晶片、连接导体表面,盖板8与基板1的边缘处通过环氧树脂密封。本实施例通过增加陶瓷盖板,再通过环氧树脂密封成型,其结合性好,结构紧密,密封性好。
以上所述之实施例只为本实用新型之较佳实施例,并非以此限制本实用新型的实施范围,故凡依本实用新型之形状、原理所作的变化,均应涵盖在本实用新型的保护范围内。
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