[实用新型]一种阵列基板及显示装置

说明书

技术领域

本实用新型涉及显示领域，尤其涉及一种阵列基板及显示装置。

背景技术

在一份公开号为CN103293812A的专利文件中公开了一种阵列基板及其修复方法和显示装置。该阵列基板通过在栅线引线上制作第一修复线，和在源极引线上制作第二修复线，当所述栅线引线或源极引线损坏时，可以利用所述第一修复线或第二修复线来对所述栅线引线和源极引线进行修复，避免整个阵列基板报废而造成成本浪费。但是，所述栅线引线和第一修复线、以及所述源极引线和第二修复线采用的都是金属材质，两层金属线重叠在一起会产生耦合电容，耦合电容会影响到信号传输的稳定性。

实用新型内容

为了解决上述现有技术的不足，本实用新型提供一种阵列基板及显示装置。该阵列基板的两层金属线之间的耦合电容较小，信号传输的稳定性较高。

本实用新型所要解决的技术问题通过以下技术方案予以实现：

一种阵列基板，包括透明基板和设置在所述透明基板上的TFT层，所述TFT层包括位于显示区域内的若干栅线和数据线以及位于外围区域的若干栅极走线和数据走线，所述栅极走线连接栅线和驱动IC，所述数据走线连接数据线和驱动IC；至少一条栅极走线的对应位置上重叠有第一修复线，和/或，至少一条数据走线的对应位置上重叠有第二修复线；所述栅极走线和第一修复线之间设置有第一间隔层，和/或，所述数据走线和第二修复线之间设置有第二间隔层。

进一步地，所述第一修复线位于所述栅极走线上方，与所述数据走线同层。

进一步地，所述第一修复线和数据走线的材料相同。

进一步地，所述栅极走线和第一间隔层之间设置有第一绝缘层。

进一步地，所述第一间隔层为半导体材料。

进一步地，所述第二修复线位于所述数据走线的下方，与所述栅极走线同层。

进一步地，所述第二修复线和栅极走线的材料相同。

进一步地，所述第二间隔层和第二修复线之间设置有第二绝缘层。

进一步地，所述第二间隔层为半导体材料。

一种显示装置，包括上述的阵列基板。

本实用新型具有如下有益效果：该阵列基板的栅极走线和第一修复线之间采用所述第一间隔层间隔开来，以及数据走线和第二修复线之间采用第二间隔层隔开，增加了两层金属线之间的距离，可以减小两层金属线之间的耦合电容，提高信号传输的稳定性。

附图说明

图1为本实用新型提供的阵列基板的示意图；

图2为图1所示的阵列基板的A-A剖视图；

图3为图1所示的阵列基板的B-B剖视图。

具体实施方式

下面结合附图和实施例对本实用新型进行详细的说明。

实施例一

如图1-3所示，一种阵列基板，包括透明基板1和设置在所述透明基板1上的TFT层，所述TFT层包括位于显示区域2内的若干栅线和数据线以及位于外围区域3的若干栅极走线4和数据走线5，所述栅极走线4连接栅线和驱动IC 6，所述数据走线5连接数据线和驱动IC 6；至少一条栅极走线4的对应位置上重叠有第一修复线8，和/或，至少一条数据走线5的对应位置上重叠有第二修复线9；所述栅极走线4和第一修复线8之间设置有第一间隔层12，和/或，所述数据走线5和第二修复线9之间设置有第二间隔层13。

该阵列基板的栅极走线4和第一修复线8之间采用所述第一间隔层12间隔开来，以及数据走线5和第二修复线9之间采用第二间隔层13隔开，增加了两层金属线之间的距离，可以减小两层金属线之间的耦合电容，提高信号传输的稳定性；当所述栅极走线4或数据走线5的某处损坏断开时，可以在断开处的两端利用激光将所述栅极走线4和第一修复线8之间或者所述数据走线5和第二修复线9之间熔融连接，完成修复。

优选地，如图2所示，所述第一修复线8位于所述栅极走线4上方，与所述数据走线5同层，并且，所述第一修复线8和数据走线5的材料相同。

这样就可以在制作所述数据走线5时，同时制作所述第一修复线8，减少工艺流程，提高良品率；更优地，所述栅极走线4和第一间隔层12之间设置有第一绝缘层7，此时，所述第一绝缘层7与TFT开关中的栅绝缘层同层，一样可以采用相同的材料同时制作；并且此时，所述第一间隔层12与TFT开关中的有源层（即半导体硅岛）同层，因此最优地，所述第一间隔层12为半导体材料，比如单晶硅、多晶硅等，和TFT开关中的有源层所使用的材料相同并同时制作。