[实用新型]一种基于直导线阵列的多通道经颅磁刺激装置有效
| 申请号： | 201720669493.7 | 申请日： | 2017-06-09 |
| 公开（公告）号： | CN208145246U | 公开（公告）日： | 2018-11-27 |
| 发明（设计）人： | 李江涛;曹辉;赵政;郑敏军;蔡旭明;孙义;任子媛;何家欣;刘宇豪;顾悦 | 申请（专利权）人： | 西安交通大学 |
| 主分类号： | A61N2/04 | 分类号： | A61N2/04 |
| 代理公司： | 西安通大专利代理有限责任公司 61200 | 代理人： | 陆万寿 |
| 地址： | 710049 陕*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 经颅磁刺激装置 放电电路 多通道 直导线 缠绕 本实用新型 在线圈骨架 充电电路 方向相反 开关器件 控制电路 驱动电路 紧贴 | ||
1.一种基于直导线阵列的多通道经颅磁刺激装置，其特征在于，包括控制电路、充电电路、若干线圈及若干放电电路，其中，一个线圈对应一个放电电路，各线圈均包括线圈骨架、第一导线(L11)及第二导线(L12)，第一导线(L11)及第二导线(L12)缠绕在线圈骨架上，且第一导线(L11)与第二导线(L12)的缠绕方向相反；
充电电路经高压二极管(D1)与IGBT芯片(V1)的漏极相连接，IGBT芯片(V1)的源极与主电容(C1)的一端、第一放电晶闸管(SCR11)的阳极、第二放电晶闸管(SCR13)的阳极、第一续流晶闸管(SCR12)的阴极及第二续流晶闸管(SCR14)的阴极相连接，第一导线(L11)的一端与第一放电晶闸管(SCR11)的阴极及第一续流晶闸管(SCR12)的阳极相连接，第二导线(L12)的一端与第二放电晶闸管(SCR13)的阴极及第二续流晶闸管(SCR14)的阳极相连接，第一导线(L11)的另一端、第二导线(L12)的另一端及主电容(C1)的另一端均接地；
控制电路的输出端与IGBT芯片(V1)的栅极、第一放电晶闸管(SCR11)的控制端、第二放电晶闸管(SCR13)的控制端、第一续流晶闸管(SCR12)的控制端及第二续流晶闸管(SCR14)的控制端相连接。
2.根据权利要求1所述的基于直导线阵列的多通道经颅磁刺激装置，其特征在于，所述充电电路包括交流电源(AC)、升压变压器(TX)、第一二极管(D01)、第二二极管(D02)、第三二极管(D03)、第四二极管(D04)、第一充电电阻(R0)、第二充电电阻(R1)及储能电容(C)，其中，交流电源(AC)与升压变压器(TX)的原边绕组相连接，升压变压器(TX)副边绕组的一端与第一二极管(D01)的正极及第二二极管(D02)的负极相连接，变压器副边绕组的另一端与第三二极管(D03)的正极及第四二极管(D04)的负极相连接，第一二极管(D01)的负极及第三二极管(D03)的负极均与第一充电电阻(R0)的一端相连接，第二二极管(D02)的正极及第四二极管(D04)的正极均接地，第一充电电阻(R0)的另一端与第二充电电阻(R1)的一端及储能电容(C)的一端相连接，第二充电电阻(R1)的另一端与高压二极管(D1)相连接，储能电容(C)的另一端接地。
3.根据权利要求1所述的基于直导线阵列的多通道经颅磁刺激装置，其特征在于，所述控制电路包括单片机、晶闸管触发电路及IGBT驱动电路，单片机的输出端与晶闸管触发电路的输入端及IGBT驱动电路的输入端相连接，晶闸管触发电路输出端的正极与第一放电晶闸管(SCR11)的控制端、第二放电晶闸管(SCR13)的控制端、第一续流晶闸管(SCR12)的控制端及第二续流晶闸管(SCR14)的控制端相连接，IGBT驱动电路的输出端正极与IGBT芯片(V1)的栅极相连接，IGBT驱动电路的输出端负极与IGBT芯片(V1)的源极相连接。
4.根据权利要求1所述的基于直导线阵列的多通道经颅磁刺激装置，其特征在于，所述线圈的数目为N个，其中，N/2个线圈沿横向方向依次分布，另外，N/2个线圈沿纵向方向依次分布。
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