[实用新型]一种单晶硅电池片传输感应喷水装置有效
申请号: | 201720675765.4 | 申请日: | 2017-06-09 |
公开(公告)号: | CN206806358U | 公开(公告)日: | 2017-12-26 |
发明(设计)人: | 梁光鸿 | 申请(专利权)人: | 东方日升(洛阳)新能源有限公司 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18;H01L21/67 |
代理公司: | 北京金智普华知识产权代理有限公司11401 | 代理人: | 王滨生 |
地址: | 471000*** | 国省代码: | 河南;41 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 单晶硅 电池 传输 感应 喷水 装置 | ||
技术领域
本实用新型涉及单晶硅电池片传输辅助设备,尤其是一种单晶硅电池片传输感应喷水装置。
背景技术
单晶硅电池片在扩散工序后,进入后清洗设备中,后清洗设备是采用氢氟酸、硝酸及水的混合反应液对单晶硅电池片进行背面PN结去除,防止电池片正负极直接导通,导致短路,目前,单晶硅电池片在扩散工序后直接进入后清洗设备中,因氢氟酸及硝酸具有强挥发性,挥发后的腐蚀性气体会接触到硅片正面,与硅片正面的PN结接触,会去除掉硅片正面部分PN结,导致硅片正面出现腐蚀印迹返工,怎样避免硅片正面腐蚀印迹问题成为长期以来难以解决的技术难题。
鉴于上述原因,现研发出一种单晶硅电池片传输感应喷水装置。
实用新型内容
本实用新型的目的是为了克服现有技术中的不足,提供一种单晶硅电池片传输感应喷水装置,结构简单,设计巧妙,制造成本低廉,使用效果显著,提高了企业的生产效率,降低了因正面腐蚀印迹导致的返工,提高了企业的利益。
本实用新型为了实现上述目的,采用如下技术方案:一种单晶硅电池片传输感应喷水装置,是由:水池、进料端、出料端、滚轴、动力机构、支杆、传感器、导线、支板、水泵、喷淋头、喷嘴、电线、水管、总控制器构成;水池上方两侧之间设置至少十根相互平行的滚轴,水池的外侧对应滚轴的末端设置动力机构,水池上端由进料端至出料端沿电池片移动方向依次设置支杆和支板,支板靠近出料端,支杆和支板均位于滚轴上方且平行于滚轴,支杆和支板的两端与水池上端两侧对应固定,支杆上均匀分布至少三个传感器,传感器固定于支杆上的预留孔内,支杆上设置导线,传感器与导线对接,支板上均匀分布至少三个喷淋机构,喷淋机构的结构为:水泵和喷淋头位于支板的两侧,喷淋头下表面均匀分布至少两个喷嘴,支板上设置电线和水管,水泵的电线接口与电线对接,水泵的进水接口与水管对接,水泵的出水口与喷淋头上表面的进水口之间设置水管,支杆上的导线、支板上的电线及水管均与总控制器对接设置。
本实用新型的有益效果是:本实用新型放置于扩散工序与后清洗设备之间,单晶硅电池片在扩散工序后,进入水池的滚轴上,由进料端向出料端移动,当单晶硅电池片移动至传感器下方时,传感器将开通信号发送至总控制器,总控制器开通电线和水管,使各水泵启动,水管内的水流入水泵内再进入喷淋头,最后由喷嘴流出,水滴滴在单晶硅电池片上,多余的水向下流入水池内,有水滴的单晶硅电池片继续向前移动至进入后清洗设备中;在设定的时间内,传感器未感知有单晶硅电池片经过时,传感器将关闭信号发送至总控制器,总控制器关闭电源和水源,使各水泵停止运行。本实用新型结构简单,设计巧妙,制造成本低廉,使用效果显著,提高了企业的生产效率,降低了因正面腐蚀印迹导致的返工,提高了企业的利益。适合普遍推广应用。
附图说明
下面结合附图对本实用新型作进一步说明:
图1是总装结构示意图;
图1中:水池1、进料端11、出料端12、滚轴2、动力机构21、支杆3、传感器31、导线32、支板4、水泵41、喷淋头42、喷嘴43、电线44、水管45、总控制器5。
具体实施方式
下面结合附图与具体实施方式对本实用新型作进一步详细说明:
水池1上方两侧之间设置至少十根相互平行的滚轴2,水池1的外侧对应滚轴2的末端设置动力机构21,水池1上端由进料端11至出料端12沿电池片移动方向依次设置支杆3和支板4,支板4靠近出料端12,支杆3和支板4均位于滚轴2上方且平行于滚轴2,支杆3和支板4的两端与水池1上端两侧对应固定,支杆3上均匀分布至少三个传感器31,传感器31固定于支杆3上的预留孔内,支杆3上设置导线32,传感器31与导线32对接,支板4上均匀分布至少三个喷淋机构,喷淋机构的结构为:水泵41和喷淋头42位于支板4的两侧,喷淋头42下表面均匀分布至少两个喷嘴43,支板4上设置电线44和水管45,水泵41的电线接口与电线44对接,水泵41的进水接口与水管45对接,水泵41的出水口与喷淋头42上表面的进水口之间设置水管45,支杆3上的导线32、支板4上的电线44及水管45均与总控制器5对接设置。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的