[实用新型]一种可改善出光发散角的对接型半导体激光器有效
| 申请号： | 201720677164.7 | 申请日： | 2017-06-12 |
| 公开（公告）号： | CN207282905U | 公开（公告）日： | 2018-04-27 |
| 发明（设计）人： | 师宇晨;潘彦廷;李马惠;穆瑶;卫思逸;赵小亮;杨旗;韦盼;杨亚楠;杨英 | 申请（专利权）人： | 陕西源杰半导体技术有限公司 |
| 主分类号： | H01S5/34 | 分类号： | H01S5/34;H01S5/343 |
| 代理公司： | 西安通大专利代理有限责任公司61200 | 代理人： | 徐文权 |
| 地址： | 712000 陕西省西安市西咸新区沣西*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 改善 发散 对接 半导体激光器 | ||
【权利要求书】：
1.一种可改善出光发散角的对接型半导体激光器，其特征在于，包括衬底(11)以及设置在衬底(11)上表面的量子阱(2)，量子阱(2)出光端对接生长有晶体外延生长InP(6)；
还包括设置在衬底(11)下表面的N型电极(10)以及覆盖在量子阱(2)和晶体外延生长InP(6)上的P型掺杂InP(7)和覆盖在P型掺杂InP(7)的金属接触层InGaAs(8)，金属接触层InGaAs(8)顶面设置有P型电极(9)。
2.根据权利要求1所述的一种可改善出光发散角的对接型半导体激光器，其特征在于，量子阱(2)与晶体外延生长InP(6)长度之和与衬底(11)长度相同。
3.根据权利要求1所述的一种可改善出光发散角的对接型半导体激光器，其特征在于，晶体外延生长InP(6)的厚度为200nm，长度为15μm。
4.根据权利要求1所述的一种可改善出光发散角的对接型半导体激光器，其特征在于，量子阱(2)的厚度为200nm。
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