[实用新型]一种双量子阱电吸收调制激光器

权利要求书

1.一种双量子阱电吸收调制激光器，其特征在于，包括设置在顶部的包层(10)和设置在底部的n-型InP衬底(1)，以及从下到上依次设置在n-型InP衬底(1)和顶部的包层(10)之间的调制器多量子阱(3)、激光器多量子阱(7)和光栅层(9)，以及设置在两端的高反射膜(11)和抗反射膜(12)；

n-型InP衬底(1)、包层(10)和调制器多量子阱(3)的一端与高反射膜(11)接触，另一端与抗反射膜(12)接触；激光器多量子阱(7)和光栅层(9)的一端与高反射膜(11)接触，另一端不接触抗反射膜(12)，激光器多量子阱(7)和光栅层(9)与抗反射膜(12)之间填充有包层(10)。

2.根据权利要求1所述的一种双量子阱电吸收调制激光器，其特征在于，n-型InP衬底(1)底面设置有n面金属电极(14)，包层(10)顶面设置有p面金属电极，p面金属电极包括激光器正极金属电极(15)和调制器金属电极(16)，且激光器正极金属电极(15)和调制器金属电极(16)之间设置有电隔离区(13)，高反射膜(11)与电隔离区(13)之间为激光器正极金属电极(15)，抗反射膜(12)与电隔离区(13)之间为调制器金属电极(16)。

3.根据权利要求2所述的一种双量子阱电吸收调制激光器，其特征在于，激光器多量子阱(7)和光栅层(9)的另一端设置在电隔离区(13)左下方，不进入电隔离区(13)的正下方区域。

4.根据权利要求1所述的一种双量子阱电吸收调制激光器，其特征在于，激光器多量子阱(7)和光栅层(9)的长度为调制器多量子阱(3)的一半。

5.根据权利要求1所述的一种双量子阱电吸收调制激光器，其特征在于，调制器多量子阱(3)的上下分别设置有调制器上层分别限制异质层(4)和调制器下层分别限制异质层(2)；激光器多量子阱(7)的上下分别设置有激光器上层分别限制异质层(8)和激光器下层分别限制异质层(6)。

6.根据权利要求5所述的一种双量子阱电吸收调制激光器，其特征在于，调制器的上层分别限制异质层(4)与激光器区域的下层分别限制异质层(6)之间设置有刻蚀停止层(5)。

7.根据权利要求1所述的一种双量子阱电吸收调制激光器，其特征在于，电隔离区(13)为刻蚀在激光器与调制器之间的U型电隔离沟槽。

8.根据权利要求1所述的一种双量子阱电吸收调制激光器，其特征在于，包层(10)的折射率低于激光器多量子阱(7)和调制器多量子阱(3)的折射率。