[实用新型]一种高功率绝缘侧向耦合的光纤接口组件

说明书

技术领域

本实用新型属于光纤通信领域，尤其涉及一种高功率绝缘侧向耦合的光纤接口组件。

背景技术

光纤接口组件在光通信用收发器的光模块中，被用作连接受光元件及发光元件的光无缘零件，由于光纤接口组件使用时要和激光发射器焊接在一起，这样由激光发射器产生的静电就会传递到跳线连接组件侧，从而影响光传输的稳定性及可靠性。

在高功率光纤激光器和光纤放大器中，最关键的技术就是如何将几十瓦、数百瓦 甚至上千瓦的泵浦激光高效率的耦合进入直径尺寸只有几十微米甚至几微米的光纤当中，并且有效的泵浦系统可以显著提高激光的输出功率，降低系统的废热产生率。

在半导体激光器和单模光纤的耦合技术中，耦合效率和失准容忍度是要考虑的两个关键指标，一个好的设计必须兼顾这两个方面；半导体激光器和平端光纤的耦合由于很难同时达到模场匹配和相位匹配，因此耦合效率很低；提高耦合效率的方法有两种，一种是激光器与光纤之间使用分立的透镜，另一种是采用研磨光纤透镜方法；而光纤透镜法由于结构紧凑、操作方便、性能稳定可靠、耦合效率高因此被广泛采用。

发明内容

本实用新型的目的在于提供一种高功率绝缘侧向耦合的光纤接口组件，旨在解决的问题目前现有技术中使用光纤接口组件时必须要和激光发射器焊接在一起，这样由激光发射器产生的静电就会传递到跳线连接组件侧，从而影响光传输的稳定性及可靠性。

本实用新型是这样实现的，一种高功率绝缘侧向耦合的光纤接口组件，其特征在于：所述光纤接口组件包括第一金属底座、第二金属底座、陶瓷套管、陶瓷插芯、金属尾塞、裸光纤，所述第一金属底座设置于所述第二金属底座的顶端，所述金属尾塞设置于所述第二金属底座内的低端，所述陶瓷套管设置于所述第二金属底座内的中部、且低端部分插入所述金属尾塞中，所述陶瓷插芯的顶端部分设置于所述第一金属底座内、中间部分设置于所述第二金属底座内、低端部分设置于所述陶瓷套管中，所述裸光纤的低端设置于所述陶瓷插芯中、顶端暴露在外，所述陶瓷插芯的中心轴线与所述第一金属底座及第二金属底座的中心轴线重叠，所述裸光纤顶端设有25~45度的斜面。

本实用新型的进一步技术方案是：所述裸光纤顶端的斜面角度为42度。

本实用新型的进一步技术方案是：所述光纤接口组件还包括粘结剂，所述第一金属底座与第二金属底座之间通过粘结剂连接。

本实用新型的进一步技术方案是：所述裸光纤与所述第一金属底座连接处涂有所述粘结剂。

本实用新型的进一步技术方案是：所述第二金属底座、金属尾塞、陶瓷套管及陶瓷插芯之间的连接方式为过盈配合。

本实用新型的进一步技术方案是：所述金属尾塞的低端切面与所述第二金属底座的低端切面重合。

本实用新型的进一步技术方案是：所述陶瓷插芯的顶端切面与所述第一金属底座的顶端切面重合。

本实用新型的进一步技术方案是：所述裸光纤的低端切面与所述陶瓷插芯的低端切面重合。

本实用新型的进一步技术方案是：所述陶瓷套管的横截面设有“C”字形的开口。

本实用新型的有益效果是：本实用新型有效的解决了高功率激光器耦合效率问题，耦合效率达80%并且减少了原有透镜耦合元件，降低了生产成本提高了产品性能。

附图说明

图1是本实用新型实施例提供的光纤接口组件示意图；

图2是本实用新型实施例提供的裸光纤斜面示意图；

图3是本实用新型实施例提供的光纤接口组件应用示意图；

图4是本实用新型实施例提供的原理图一；

图5是本实用新型实施例提供的原理图二；

图6是本实用新型实施例提供的原理图三。

附图标记：8-激光发射器 9-滤光片 11-激光探测器 13-光纤接口组件 133-第一金属底座 135-第二金属底座 136-陶瓷套管 134-陶瓷插芯 137-金属尾塞 131-裸光纤 132-粘结剂。

具体实施方式

如图4所示，半导体激光器光场可近视看成高斯光束，公式为：

；；；

高斯光束几个重要参数分别为：腰斑半径为高斯光束的最小宽度处；为高斯光束宽度，距离光腰z处高斯光点形状的大小；为距离光腰z处波前半径；θ为发散角。