[实用新型]一种激光二极管驱动器消光比控制的控制电路有效

专利信息
申请号: 201720683314.5 申请日: 2017-06-13
公开(公告)号: CN207082718U 公开(公告)日: 2018-03-09
发明(设计)人: 陈卫洁 申请(专利权)人: 武汉矽晶辰光科技有限公司
主分类号: H01S5/042 分类号: H01S5/042
代理公司: 深圳市合道英联专利事务所(普通合伙)44309 代理人: 廉红果
地址: 430000 湖北省武汉市东湖新技术开*** 国省代码: 湖北;42
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摘要:
搜索关键词: 一种 激光二极管 驱动器 控制 控制电路
【权利要求书】:

1.一种激光二极管驱动器消光比控制的控制电路,其特征在于,其包括:

一激光二极管LD,用于在电流IBIAS和电流IMOD的驱动下发出光信号;

一光电二极管PD,用于采样所述激光二极管LD发出的光信号,转换输出光电流IMPD

一电阻R1和耦合电容C1,用于防止所述激光二极管LD的光信号出现过冲现象,

一电流采样比较器单元,用于对所述光电二极管PD中的输出光电流IMPD进行取样,并且分别与参考电流IREF的峰值IREF+和谷值IREF-进行比较,分离取样获得光电流IMPD的峰值IMPD+和谷值IMPD-

一数字控制单元,根据所述峰值IMPD+和谷值IMPD-之间的关系,确定激光二极管LD的消光比,并且与消光比参数的目标值进行对照,对电流IMOD进行相应的调整,实现对激光二极管LD消光比的控制。

2.根据权利要求1所述的一种激光二极管驱动器消光比控制的控制电路,其特征在于,所述电流采样比较器电路包括第一比较器、第二比较器、递加器、递减器、第一NMOS管、第二NMOS管、第一PMOS管、第二PMOS管、第三NMOS管、第三PMOS管、第四NMOS管;其中,所述第一NMOS管的漏极和栅极相连,同时与光电二极管PD的正极相连,源极接地,采样光电二极管PD的电流;所述第二NMOS管的漏极与第一PMOS管的漏极相连,栅极与第一NMOS管的栅极相连,源极接地,镜像第一NMOS管的电流;所述第一PMOS管的漏极和栅极相连,与第二NMOS管的漏极相连,源极接电源;所述第二PMOS管的漏极与第三NMOS管的漏极相连,栅极与第一PMOS管的栅极相连,源极接电源;所述第三NMOS管的源极接地,栅极接递加器的输出端;所述第三PMOS管的漏极与第四NMOS管的漏极相连,栅极与第一PMOS管的栅极相连,源极接电源;所述第四NMOS管的源极接地,栅极接递减器的输出端;所述第一比较器输入正端与第二PMOS管的漏极与第三NMOS管的公共端相连,输入负端接1.2V电压;所述第二比较器输入正端与第三PMOS管的漏极与第四NMOS管的公共端相连,输入负端接1.2V电压;所述第一比较器、递加器、第三NMOS管组合在一起,获取MPD电流的峰值IMPD+;所述第二比较器、递减器、第四NMOS管组合在一起,获取MPD电流的谷值IMPD-

3.根据权利要求1或2所述的一种激光二极管驱动器消光比控制的控制电路,其特征在于,所述数字控制单元包括除法器、MOD调制电流控制器、第五NMOS管;其中,所述第五NMOS管的源极接地,栅极与MOD调制电流控制器的输出端相连,漏极与激光二极管LD的负极相连;所述除法器的输入正端是IMPD+,输入负端是IMPD-,输出端与MOD调制电流控制器的输入端相连。

4.根据权利要求3所述的一种激光二极管驱动器消光比控制的控制电路,其特征在于:所述电阻R1和耦合电容C1依次串联并且一端接于激光二极管LD的输出端,一端接地。

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