[实用新型]半导体装置

权利要求书

1.一种半导体装置，其特征在于，包括：

半导体晶粒，包括第一表面、与所述第一表面相对的第二表面、形成于所述第一表面和所述第二表面之间的第三表面以及形成于所述第二表面上的多个互连结构；

EMI屏蔽层，其包括屏蔽所述半导体晶粒的所述第一表面的第一导电层和屏蔽所述半导体晶粒的所述第三表面的第二导电层；

基板，其电连接到所述半导体晶粒的所述多个互连结构；以及

囊封部分，其囊封所述EMI屏蔽层和所述基板。

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，进一步包括：

另一半导体晶粒，其与所述半导体晶粒水平地间隔开；

其中所述EMI屏蔽层的所述第二导电层介于所述半导体晶粒和所述另一半导体晶粒之间。

3.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述半导体晶粒包括：

接触垫，其电连接到所述多个互连结构中的互连结构；以及

接地电路图案，其电连接所述接触垫和所述EMI屏蔽层。

4.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述EMI屏蔽层包括选自导电聚合物、导电油墨、导电膏和导电箔的材料。

5.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，进一步包括填充所述半导体晶粒和所述基板之间的间隙的底部填充物。

6.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述EMI屏蔽层包括非溅射的EMI屏蔽层。

7.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述EMI屏蔽层包括铜箔。

8.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述EMI屏蔽层包括旋涂的EMI屏蔽层。

9.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述EMI屏蔽层包括喷射印刷的EMI屏蔽层。

10.一种半导体装置，其特征在于，包括：

半导体晶粒，其包括第一表面、与所述第一表面相对的第二表面、形成于所述第一表面和所述第二表面之间的第三表面以及形成于所述第二表面上的多个互连结构；

非溅射的EMI屏蔽层，其屏蔽所述半导体晶粒的所述第一表面；

多个EMI屏蔽线，其围绕所述半导体晶粒的所述第三表面定位且电连接到所述非溅射的EMI屏蔽层；

基板，其电连接到所述半导体晶粒的所述多个互连结构；以及

囊封部分，其囊封所述非溅射的EMI屏蔽层、所述EMI屏蔽线和所述基板。

11.根据权利要求10所述的半导体装置，其特征在于，所述非溅射的EMI屏蔽层包括选自导电聚合物、导电油墨、导电膏和导电箔的材料。

12.根据权利要求10所述的半导体装置，其特征在于，所述多个EMI屏蔽线围绕且感应地屏蔽所述半导体晶粒的所述第三表面。

13.根据权利要求12所述的半导体装置，其特征在于，所述多个EMI屏蔽线与所述半导体晶粒的所述第三表面间隔开。

14.根据权利要求10所述的半导体装置，其特征在于：

所述非溅射的EMI屏蔽层具有带有四边的矩形；以及

所述多个EMI屏蔽线沿着所述四边配置。

15.一种半导体装置，其特征在于，包括：

半导体晶粒，其包括第一表面、与所述第一表面相对的第二表面、形成于所述第一表面和所述第二表面之间的第三表面以及形成于所述第二表面上的多个互连结构；

基板，其电连接到所述半导体晶粒的所述多个互连结构；

第一囊封部分，其包括围绕所述半导体晶粒的所述第一表面的第一区域和围绕所述半导体晶粒的所述第三表面的第二区域；以及

EMI屏蔽层，其屏蔽所述第一囊封部分的所述第一区域和所述第二区域中的至少一个。

16.根据权利要求15所述的半导体装置，其特征在于：

所述EMI屏蔽层屏蔽所述第一囊封部分的所述第二区域；以及

所述基板进一步包括通过所述第二区域暴露的天线图案。

17.根据权利要求15所述的半导体装置，其特征在于，进一步包括囊封所述第一囊封部分、所述EMI屏蔽层和所述基板的第二囊封部分。