[实用新型]一种黄曲霉毒素检测装置有效
申请号: | 201720702991.7 | 申请日: | 2017-06-16 |
公开(公告)号: | CN207248746U | 公开(公告)日: | 2018-04-17 |
发明(设计)人: | 颜天信;汪海;汪洪波 | 申请(专利权)人: | 合肥泰禾光电科技股份有限公司 |
主分类号: | G01N21/64 | 分类号: | G01N21/64;G01N21/45 |
代理公司: | 北京德恒律治知识产权代理有限公司11409 | 代理人: | 章社杲,卢军峰 |
地址: | 230012 安徽省合肥市经济技*** | 国省代码: | 安徽;34 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 黄曲霉 毒素 检测 装置 | ||
技术领域
本实用新型涉及光学检测技术领域,具体来说,涉及一种黄曲霉毒素检测装置。
背景技术
黄曲霉毒素(Aflatoxin,简称AF)是由黄曲霉和寄生曲霉产生一种真菌有毒代谢产物,也是迄今发现的毒性最强的一类真菌毒素。黄曲霉毒素主要有AFB1(黄曲霉素B1)、AFB2、AFG1、AFG2、AFM1这5类。其中,AFB1的毒性最强,其毒性为氰化钾的10倍,为砒霜的68倍,为三聚氰胺的416倍。而且,AFB1致癌能力是二甲基硝胺的75倍,1993年国际肿瘤研究机构(International Agency for Research on Cancer,IARC)就已将其列为I类致癌物,其它4类被列为II类致癌物。黄曲霉毒素不仅毒性大、含量低,且污染范围广,在粮、油、茶、干果、乳、饲料、酱油等100多种农产品及食品中均发现有黄曲霉毒素污染。因此,开展黄曲霉毒素检测技术研究十分重要。
目前关于黄曲霉毒素的检测技术主要包括有损检测和无损检测两类。有损检测技术主要为基于物化原理(如:高效液相色谱法、液相色谱-质谱/质谱法等),其对样品具有破坏性,进行净化预处理等,检测时间长,不适用于大批量工业在线检测。而无损检测技术具有对检测对象非破坏性的优点,成为人们研究的热点。目前报道的无损检测技术通常是利用紫外荧光强度像的检测技术,其主要利用长波紫外照射待测对象激发可见荧光,并结合相机获得可见荧光强度像。目前利用此技术进行黄曲霉毒素检测的有公开号CN105044062A的专利公开了一种黄曲霉毒素在线检测装置及采用该装置的物料分选设备)和公开号CN103234945A的专利公开了一种黄曲霉毒素检测及分选装置等。由于此技术直接获取的是可见荧光图片,但通常紫外激发产生的荧光很弱,导致强度图像的分辨率较低和信噪比较差,其会影响检测的准确性。
此外,干涉位相测量技术是利用光波干涉形成强度相干叠加的干涉图,进而从干涉图中获取待测对象物理量相关的位相分布。与前述光学成像技术相比,干涉位相测量技术具有大量程、高灵敏度和高精度的特点,已在精密光学检测领域得到广泛应用。2009年,Pierre Bon1等人在Optics Express发表论的题为“Quadriwave lateral shearing interferometry for quantitative phase microscopy of living cells”论文中,报道了利用二维透射光栅剪切干涉仪获得弱光下活体生物的相位图像。其相对与直接获取图像,相位图像进一步提高了图像对比度。然而,此文中所报道检测装置光路整体采用透射式布局结构,其在一定程度了降低了光波传输透射强度,影响到干涉图强度分布,限制了位相测量精度的进一步提高。
针对相关技术中的问题,目前尚未提出有效的解决方案。
实用新型内容
针对相关技术中的问题,本实用新型提出一种黄曲霉毒素检测装置,从而克服现有紫外荧光成像的不足,该检测装置采用反射式结构,避免透射式结构对微弱荧光吸收的问题,提高光能利用率。另外,采用反射式二维位相光栅设计,可以消除±3级及±3级倍级衍射光的影响,使得所形成的干涉光波主要集中在±3级衍射光中,从而提高了检测精度。
本实用新型的技术方案是这样实现的:
根据本实用新型的一个方面,提供了一种黄曲霉毒素检测装置。
该黄曲霉毒素检测装置包括:物料传送系统、照明系统,照明系统设置在物料传送系统的一侧,物料传送系统将待测样品运送照明系统的照明区域后,照明系统发出的紫外光激发待测样品中的黄曲霉毒素产生荧光信号,以及反射系统、反射光栅,反射系统、反射光栅和照明系统设置在物料传送系统的同一侧,反射系统将荧光信号反射至反射光栅上,反射光栅将荧光信号剪切为多个光束,并根据多个光束形成干涉图。
根据本实用新型的一个实施例,反射光栅包括:基底;以及在基底的纵向和横向上阵列排布的反射部分和相位延迟反射部分,反射部分和相位延迟反射部分沿着纵向和横向相邻设置,相邻的反射部分和相位延迟反射部分之间设置有非反射非透光部分,其中,反射部分和非反射非透光部分设置在基底上方,相位延迟部分设置在基底的凹槽内。
根据本实用新型的一个实施例,反射部分和相位延迟反射部分均呈正方形,反射部分和相位延迟反射的尺寸相同。
根据本实用新型的一个实施例,正方形的第一边长与横向平行,正方形的第二边长与纵向平行,第一边长和第二边长垂直。
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