[实用新型]一种三相整流桥堆

说明书

技术领域

本实用新型涉及整流桥技术领域，尤其涉及一种三相整流桥堆。

背景技术

图1是现有技术中的三相整流桥产品的内部结构示意图。参见图1，现有的三相整流桥产品结构由五个框架、六个晶粒和六根跳线相叠而成，6根跳线一一对应每个晶粒，需要进行6次装填，操作步骤繁琐，效率低，也易造成晶粒与跳线的相互偏移现象的机率增多；同时产品外观长*宽*厚为：47.1mm*29.3mm*5.0mm体积大，占空间，安装空间大，无形中缩小了客户的使用范围。这样大体积会耗很多的铜材和塑封料，物料成本明显增加。

实用新型内容

本实用新型的目的是提供一种减少跳线组装后偏移机率的三相整流桥堆。

本实用新型解决上述技术问题的技术方案如下：

一种三相整流桥堆，包括：封装体以及置于所述封装体内的六个晶粒、五个具有引脚的框架和四个跳线，六个晶粒分别为第一晶粒、第二晶粒、第三晶粒、第四晶粒、第五晶粒和第六晶粒，五个框架分别为第一框架、第二框架、第三框架、第四框架和第五框架，四个跳线分别为一个长跳线和三个短跳线，所述第一晶粒、所述第二晶粒和所述第三晶粒并排设置在所述第一框架上，所述第四晶粒设置在第二框架上，所述第五晶粒设置在第三框架上，所述第六晶粒设置在第四框架上，所述第一晶粒、所述第二晶粒和所述第三晶粒分别通过三个短跳线与所述第四框架、所述第三框架和所述第二框架相连，所述第四晶粒、所述第五晶粒和所述第六晶粒均通过所述长跳线与所述第五框架相连，从而构成三相整流电路。

在上述技术方案的基础上，本实用新型还可以做如下改进：

可选地，五个所述框架及其各自的引脚均处于同一平面内。

可选地，所述封装体的长为35mm，宽为25mm，高为4mm。

可选地，所述第一框架为正极框架，所述第五框架为负极框架，所述第二框架、所述第三框架和所述第四框架均为交流框架。

本实用新型的有益效果：

本实用新型对跳线进行改动，将原来的六根跳线更改为四根跳线，装填步骤由6次降至4次，步骤减少操作更方便简单，缩短了装填的时间，一次性完成三次的动作，效率提升，同时还降低了组装偏移的机率，品质提升。

附图说明

图1是现有技术中的三相整流桥产品的内部结构示意图；

图2是本实用新型实施例的三相整流桥堆的内部结构示意图。

附图标记：

第一晶粒-11；第二晶粒-12；第三晶粒-13；第四晶粒-14；第五晶粒-15；第六晶粒-16；第一框架-21；第二框架-22；第三框架-23；第四框架-24；第五框架-25；长跳线-31；短跳线-32；引脚-40。

具体实施方式

以下结合附图对本实用新型的原理和特征进行描述，所举实例只用于解释本实用新型，并非用于限定本实用新型的范围。

图2是本实用新型实施例的三相整流桥堆的内部结构示意图。参见图2，本实用新型实施例提供了一种三相整流桥堆，包括：封装体以及置于所述封装体内的六个晶粒、五个具有引脚40的框架和四个跳线，六个晶粒分别为第一晶粒11、第二晶粒12、第三晶粒13、第四晶粒14、第五晶粒15和第六晶粒16，五个框架分别为第一框架21、第二框架22、第三框架23、第四框架24和第五框架25，四个跳线分别为一个长跳线31和三个短跳线32，所述第一晶粒11、所述第二晶粒12和所述第三晶粒13并排设置在所述第一框架21上，所述第四晶粒14设置在第二框架22上，所述第五晶粒15设置在第三框架23上，所述第六晶粒16设置在第四框架24上，所述第一晶粒11、所述第二晶粒12和所述第三晶粒13分别通过三个短跳线32与所述第四框架24、所述第三框架23和所述第二框架22相连，所述第四晶粒14、所述第五晶粒15和所述第六晶粒16均通过所述长跳线31与所述第五框架25相连，从而构成三相整流电路。

本实用新型对跳线进行改动，将原来的六根跳线更改为四根跳线，装填步骤由6次降至4次，步骤减少操作更方便简单，缩短了装填的时间，一次性完成三次的动作，效率提升，同时还降低了组装偏移的机率，提升品质，延长使用寿命。

其中，五个所述框架及其各自的引脚40均处于同一平面内。

其中，所述第一框架21为正极框架，所述第五框架25为负极框架，所述第二框架22、所述第三框架23和所述第四框架24均为交流框架。