[实用新型]具有直接冷却通路的层叠式功率半导体两面冷却装置

权利要求书

1.一种具有直接冷却通路的层叠式功率半导体两面冷却装置，所述具有直接冷却通路的层叠式功率半导体两面冷却装置包括一个以上的单元，所述一个以上的单元通过层叠而相互连接，为了使得制冷剂、冷却水、热交换介质中任意一个流体与功率半导体的表面直接接触，分别形成用于供所述流体流动的直接冷却通路，其特征在于，

所述单元包括：

冷却通路部，所述冷却通路部为实现所述流体的流入、排出、流动的中空板构件形态，并沿着所述单元的厚度方向层叠以配置于所述功率半导体之间，并且内部空间彼此相互连接，并且所述冷却通路部具有内部容纳有与所述直接冷却通路对应的所述流体或使所述流体流动的空间；以及

所述功率半导体，所述功率半导体结合于所述冷却通路部，以便以气密的方式分别对所述冷却通路部的多个开口部进行遮盖。

2.根据权利要求1所述的具有直接冷却通路的层叠式功率半导体两面冷却装置，其特征在于，

所述单元沿着所述单元的厚度方向层叠而形成组件组装体。

3.根据权利要求2所述的具有直接冷却通路的层叠式功率半导体两面冷却装置，其特征在于，

所述组件组装体通过所述单元的层叠结合，使得彼此相对或相互相向配置的任意一个冷却通路部的管状形状的接头部和另一个冷却通路部的管状形状的接口部相互连接，从而使得所述流体被供应或回收于各个所述冷却通路部。

4.根据权利要求3所述的具有直接冷却通路的层叠式功率半导体两面冷却装置，其特征在于，

所述组件组装体包括：

流入路径，以所述接头部和所述接口部相互连接的一侧位置为基准，形成于所述单元的一侧，以便实现流体向所述直接冷却通路侧的流入；以及

流出路径，以所述接头部和所述接口部相互连接的另一侧位置为基准，形成于所述单元的另一侧，以便实现流体从所述直接冷却通路的流出，

所述流入路径或所述流出路径在与所述单元的厚度方向或所述单元的层叠方向相同的方向延伸。

5.根据权利要求3所述的具有直接冷却通路的层叠式功率半导体两面冷却装置，其特征在于，

所述组件组装体还包括盖体，所述盖体对所述冷却通路部的多个最末端接口部及开口部侧的通孔进行遮盖或封闭。

6.根据权利要求5所述的具有直接冷却通路的层叠式功率半导体两面冷却装置，其特征在于，

所述盖体包括：

盖体板，所述盖体板的面积相对地宽于所述冷却通路部的面积；

第一遮盖部，分别形成于所述盖体板底面的两侧末端部，从而对所述冷却通路部中最末端接口部的内径进行遮盖；

第二遮盖部，分别形成于所述盖体板的底面的中央部，从而对所述冷却通路部中最末端开口部进行遮盖；

第四环安装槽部，形成于所述第二遮盖部，并且安装有用于对所述最末端开口部进行水密封的第三O型环；以及

紧固孔，形成为从所述盖体的棱角位置向盖体的厚度方向贯通。

7.根据权利要求1所述的具有直接冷却通路的层叠式功率半导体两面冷却装置，其特征在于，

所述功率半导体包括：

交流三相端子，从所述功率半导体的上端或下端中任意一个的位置凸出；

电路端子，从所述功率半导体的上端或下端中的另一个位置凸出；

半导体主体，连接于所述交流三相端子和电路端子之间；

模具部，形成于所述半导体主体的边缘部位，所述模具部为合成树脂材质或塑料材质；以及

热传递部，以被所述模具部包围的所述半导体主体的中心位置为基准，形成于所述半导体主体的表面，并且为金属材质，

形成于所述冷却通路部的开口部的大小或所开放的面积被设定为与所述热传递部的大小相对应。

8.根据权利要求1所述的具有直接冷却通路的层叠式功率半导体两面冷却装置，其特征在于，

所述冷却通路部包括下部壳体及上部壳体，所述下部壳体及上部壳体以彼此相对的方式接合或结合，以便能够在所述冷却通路部的内部形成流体容纳空间。