[实用新型]一种光伏晶硅组件

说明书

技术领域

本实用新型涉及光伏晶硅技术领域，尤其涉及一种光伏晶硅组件。

背景技术

光伏晶硅组件是通过晶硅半导体将光能转换为电能的一个模块，类似于光电池，光伏晶硅组件目前广泛应用于大型地面电站、屋面、船舶、航空等领域。

当光伏晶硅组件应用到电站项目中的时候，会串联连接到逆变器中，整串的电压会随着组件数量的增加而增高。每个组件的边框必须接地，整串的组件接到逆变器时，有半串的组件受到正偏压，有半串组件受到负偏压。组件长期在高负偏压作用下，使得边框、玻璃、EVA、电池片之间存在微弱的电荷迁移的现象，随着时间的加长，大量电荷聚集在电池表面，形成的电场方向与光电池内电场方向相反，这样就削弱了光电池电子的产生，导致组件功率衰减，简称“电位诱发衰减”，英文缩写PID。

由于光伏晶硅组件在电站中存在PID现象，如图1和图2所示为现有技术中的光伏晶硅组件的初始状态图和PID测试后的EL图像，由图1和图2可以看出，PID测试后的图像明显变暗，这种PID会导致组件功率在几年时间内衰减40％之多，甚至90％以上，解决PID现象，成为光伏电站建设首要问题。而现有技术中主要是对电池片表面进行钝化处理，但这样电池的效率会打折，组件功率做不高，成本较高，而且只是减少PID造成的功率衰减，不能杜绝此问题的发生。

因此，如何提供一种能够抗PID的光伏晶硅组件成为亟待解决的技术问题。

发明内容

本实用新型旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一，提供一种光伏晶硅组件，以解决现有技术中的问题。

作为本实用新型的一个方面，提供一种光伏晶硅组件，包括玻璃基板、位于所述玻璃基板上的第一聚醋酸乙烯酯层以及多个电池片连接成的电池串，所述电池串通过所述第一聚醋酸乙烯酯层与所述玻璃基板粘结，其中，所述光伏晶硅组件还包括位于所述第一聚醋酸乙烯酯层与所述电池串之间的聚碳酸酯层和第二聚醋酸乙烯酯层，所述聚碳酸酯层的一面与所述第一聚醋酸乙烯酯层粘结，所述聚碳酸酯层的另一面通过所述第二聚醋酸乙烯脂层与所述电池串粘结。

优选地，所述第一聚醋酸乙烯酯层和所述第二聚醋酸乙烯酯层的厚度均为0.3mm～0.5mm。

优选地，所述第一聚醋酸乙烯酯层和所述第二聚醋酸乙烯酯层的厚度均为0.3mm。

优选地，所述聚碳酸酯层的厚度为0.1mm～0.3mm。

优选地，所述聚碳酸酯层的厚度为0.175mm。

优选地，所述光伏晶硅组件还包括位于所述电池串上的第三聚醋酸乙烯酯层和背板，所述背板通过所述第三聚醋酸乙烯酯层与所述电池串粘结。

优选地，所述光伏晶硅组件还包括封装框，所述封装框用于将所述背板与所述玻璃基板以及所述背板与所述玻璃基板之间的所述聚碳酸酯和所述电池串封装在所述封装框内。

本实用新型提供的光伏晶硅组件，通过在电池串与玻璃基板之间设置两层聚醋酸乙烯酯以及一层聚碳酸酯，通过聚碳酸酯的高电阻率阻止了光伏晶硅组件在负偏压条件下其封装框、玻璃里面的离子电荷的迁移，从而避免了PID问题的发生，提高了光伏晶硅组件的质量和使用寿命。

附图说明

附图是用来提供对本实用新型的进一步理解，并且构成说明书的一部分，与下面的具体实施方式一起用于解释本实用新型，但并不构成对本实用新型的限制。在附图中：

图1为现有技术中的光伏晶硅组件的初始状态的EL图。

图2为现有技术中的光伏晶硅组件的PID测试后的EL图。

图3为本实用新型提供的光伏晶硅组件的结构示意图。

图4为本实用新型提供的光伏晶硅组件的初始状态的EL图。

图5为本实用新型提供的光伏晶硅组件的PID测试后的EL图。

图6为本实用新型提供的光伏晶硅组件的制作方法流程图。

具体实施方式

以下结合附图对本实用新型的具体实施方式进行详细说明。应当理解的是，此处所描述的具体实施方式仅用于说明和解释本实用新型，并不用于限制本实用新型。