[实用新型]一种晶圆级封装红外探测器有效
申请号: | 201720713275.9 | 申请日: | 2017-06-19 |
公开(公告)号: | CN207116455U | 公开(公告)日: | 2018-03-16 |
发明(设计)人: | 曹友文 | 申请(专利权)人: | 合肥芯欣智能科技有限公司 |
主分类号: | H01L31/09 | 分类号: | H01L31/09;G01J5/20 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 230000 安徽省合肥市高新区*** | 国省代码: | 安徽;34 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 晶圆级 封装 红外探测器 | ||
技术领域
本实用新型属于探测器技术领域,涉及一种红外探测器,具体涉及一种晶圆级封装红外探测器。
背景技术
红外传感器用于红外线的探测。目前市场上的主流红外探测器主要是采用金属封装的红外探测器和采用陶瓷封装的红外探测器。但是,红外传感器对封装的要求较高,一方面对真空有很高的要求,通常情况下真空度不能高于5pa,另一方面对红外线的透过率要求较高。这两个方面的要求导致现有的采用金属封装的红外探测器和采用陶瓷封装的红外探测器的质量很不稳定,难以满足要求。
尤其是,随着红外传感器的日趋小型化,采用金属封装的红外探测器和采用陶瓷封装的红外探测器越来越难以满足高质量和小型化的需求。
鉴于现有技术的上述技术缺陷,迫切需要研制一种新型的红外探测器。
发明内容
本实用新型的目的是克服现有技术的上述缺陷,提供一种晶圆级封装红外探测器,其能够保证红外探测器的质量,并满足红外探测器日趋小型化的需求。
为了实现上述目的,本实用新型提供如下技术方案:
一种晶圆级封装红外探测器,其包括芯片,其特征是,所述芯片的表面上设置有红外感光区,所述红外感光区上套设有硅窗,所述硅窗的周围通过键合区与所述芯片键合在一起。
进一步地,其中,所述硅窗上具有红外光透光窗口。
更进一步地,其中,所述红外光透光窗口为红外增透膜。
再进一步地,其中,通过蚀刻工艺在所述硅窗上制作出所述红外光透光窗口。
再更进一步地,其中,所述晶圆级封装红外探测器的厚度为1-2mm。
最后,其中,所述晶圆级封装红外探测器的厚度为1.7mm。
与现有的红外探测器相比,本实用新型的晶圆级封装红外探测器具有如下有益技术效果:
1、其为晶圆级封装的探测器,能够满足红外探测器的高质量和小型化的需求。
2、其红外透光率高,探测精度高。
3、其制作工艺简单,成本低。
附图说明
图1为本实用新型的晶圆级封装红外探测器的外观示意图。
图2为图1的纵向剖视图。
其中,需要说明的是,为了清楚地示出本实用新型的晶圆级封装红外探测器的结构,图1和图2不是按照同一比例绘制的。
具体实施方式
下面结合附图和实施例对本实用新型进一步说明,实施例的内容不作为对本实用新型的保护范围的限制。
如图1和2所示,本实用新型的晶圆级封装红外探测器包括芯片1。所述芯片1的表面上设置有红外感光区2。通过所述红外感光区2对红外线的感应,从而实现红外探测。
所述红外感光区2上套设有硅窗3。所述硅窗3的周围通过键合区4与所述芯片1键合在一起。所述硅窗3用于保护所述红外感光区2。在本实用新型中,由于采用硅窗,而不是金属窗或陶瓷窗,使得其制作时的真空度更好,红外透光率更高,因此,红外探测器的质量更好,且更易于进行小型化加工。此外,由于所述硅窗3通过键合的方式与所述芯片1键合在一起,因此,其制作更加简单。
在本实用新型中,所述硅窗3上具有红外光透光窗口3.1。优选地,所述红外光透光窗口3.1为红外增透膜。更优选地,通过蚀刻工艺在所述硅窗3上制作出所述红外光透光窗口3.1。这样,使得所述硅窗3的红外透光率更高,产品质量更高。
最后,在本实用新型中,优选地,所述晶圆级封装红外探测器的厚度1-2mm。更优选地,所述晶圆级封装红外探测器的厚度1.7mm。这样,使得其满足小型化需求。
在制作本实用新型的晶圆级封装红外探测器时,做好的硅窗可以直接与6寸、8寸、12寸晶圆相匹配,直接进行晶圆级封装。在晶圆级封装之后,再进行切割,形成本实用新型的晶圆级封装红外探测器。因此,其制作起来更简单,成本也更低。
本实用新型的上述实施例仅仅是为清楚地说明本实用新型所作的举例,而并非是对本实用新型的实施方式的限定。对于所属领域的普通技术人员来说,在上述说明的基础上还可以做出其它不同形式的变化或变动。这里无法对所有的实施方式予以穷举。凡是属于本实用新型的技术方案所引伸出的显而易见的变化或变动仍处于本实用新型的保护范围之列。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于合肥芯欣智能科技有限公司,未经合肥芯欣智能科技有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201720713275.9/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:双玻光伏组件
- 下一篇:新型光伏组件制造设备
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的