[实用新型]光磁结合隔离型负载开关有效

专利信息
申请号: 201720713297.5 申请日: 2017-06-19
公开(公告)号: CN206932209U 公开(公告)日: 2018-01-26
发明(设计)人: 祝海强;雷音 申请(专利权)人: 祝海强
主分类号: H03K17/04 分类号: H03K17/04;H03K17/08;H03K17/96
代理公司: 西安通大专利代理有限责任公司61200 代理人: 张弘
地址: 710065 陕西省*** 国省代码: 陕西;61
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摘要:
搜索关键词: 结合 隔离 负载 开关
【说明书】:

技术领域

实用新型涉及电子电路及元器件领域,尤其涉及一种光磁结合隔离型负载开关。

背景技术

工业领域及电池管理领域有隔离型的开关需求。如电池管理系统(BMS) 俗称之为电池保姆或电池管家,主要就是为了智能化管理及维护各个电池单元,防止电池出现过充电和过放电,延长电池的使用寿命,监控电池的状态。在电动汽车中,通常每个电池单元由若干节锂电池串联组成;每个电池单元配1个或多个BMS板。每节锂电池需要用隔离开关与均衡电路及电压检测电路连接。该结构每节锂电池到均衡电路及锂电池电压检测电路共用同一连线,用隔离型开关循环切换,通常至少每秒钟所有电池切换一次。有时也将每节电池通过不同的隔离开关分别连到均衡电路和锂电池电压检测电路。

目前业内的隔离开关普遍使用光继电器(也叫光MOS)或普通继电器。光继电器与普通继电器相比:开关速度较快无噪音;但是其通流小,导通阻抗高。普通继电器与光继电器相比:导通阻抗低,通流能力大;但是机械触点动作慢,寿命短。

另外如英飞凌(INFINEON)等公司有光隔离MOSFET驱动芯片,可以外接 MOSFET来组成隔离开关;但是面临开关速度偏慢的缺点。已英飞凌的 PVI5033RPbF为例,其输出驱动200pF的电容最大打开时间要2.5毫秒,最大关断时间要0.5毫秒。

另外如微芯(MICROCHIP)电平转换型MOSFET驱动芯片可以外接MOSFET来组成隔离开关;但是面临关断速度偏慢及隔离电压偏低的缺点。

实用新型内容

本实用新型的目的是提供一种光磁结合隔离型负载开关,该负载开关,导通阻抗小、通流大、隔离电压高、开关速度快,可应用于电池管理领域、电源等领域。

为达到上述目的,本实用新型采用的制备技术方案为:

一种光磁结合隔离型负载开关,包括单路或多路负载开关单元,每个负载开关单元包括功率开关器件、驱动电路、整流滤波电路和光电耦合器;变压器输入端通过变压器驱动电路连接供电电源,用于将电能变换为脉冲波通过变压器进行隔离能量传输;变压器输出端通过整流滤波电路连接光电耦合器和驱动电路,用于对隔离的脉冲波进行整流滤波成直流电供给光电耦合器和驱动电路;所述的光电耦合器通过驱动电路与功率开关器件连接,用于接收驱动信号并通过将驱动信号隔离驱动功率开关器件进行通断。

所述的功率开关器件由单个功率器件或多个功率器件连接组合而成,功率器件为MOSFET、二级管或IGBT。

所述的驱动电路采用三极管或MOS管组成的图腾柱电路,图腾柱电路的输入端接光电耦合器的输出信号,输出端的电阻接功率开关器件的驱动正端。

所述的变压器的第一二次绕组到第N二次绕组分别对应连接各负载开关单元整流滤波电路;一次绕组连接变压器驱动电路的功率开关。

多路负载开关单元的整流滤波电路均与变压器连接供电。

相对于现有技术,本实用新型具有以下效益:

本实用新型通过功率开关器件、光电耦合器、变压器、驱动电路组合形成光磁结合隔离型负载开关,可以实现单路或多路开关,光电耦合器接收驱动信号并通过将驱动信号隔离控制驱动电路驱动功率开关器件进行通断,该负载开关,导通阻抗小、通流大、隔离电压高、开关速度快,可应用于电池管理领域、电源等领域。解决了现有技术中存在的问题:光继电器(也叫光MOS)的通流小,导通阻抗高;普通继电器的机械触点动作慢,寿命短;光隔离MOSFET驱动芯片开关速度偏慢;电平转换型MOSFET驱动芯片隔离电压低。

进一步,选择有输出驱动能力的光电耦合器来省略中驱动电路,光电耦合器直接驱动功率开关器件进行通断;或者选择光电耦合器通过驱动电路驱动功率开关器件进行通断。

进一步,驱动电路可以采用三极管或MOS管组成的图腾柱结构,该结构控制准确,反应灵敏。驱动电路可带有过流,过压,过热等保护功能。

附图说明

图1是光磁结合隔离型负载开关的结构框图;

图2是功率开关电路示例图;

图3是功率开关电路示例图;

图4是变压器示例图;

图中,1.功率开关器件,2.驱动电路,3.整流滤波电路,4.光电耦合器,5. 变压器,6.变压器驱动电路;N-1.第N个功率开关器件,N-2.第N个驱动电路, N-3.第N个整流滤波电路,N-4.第N个光电耦合器;11.N-MOSFET, 12.N-MOSFET,13.驱动正端,14.驱动负端;21.NPN三极管,22.PNP三极管, 23.电阻。

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