[实用新型]一种共发射极放大电路的地埋式污水处理系统有效
申请号: | 201720725083.X | 申请日: | 2017-06-21 |
公开(公告)号: | CN206985971U | 公开(公告)日: | 2018-02-09 |
发明(设计)人: | 蒋焱;蒋立国;蒋斌;蒋意澄;蒋书正 | 申请(专利权)人: | 蒋焱 |
主分类号: | C02F9/14 | 分类号: | C02F9/14 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 410500 湖南省株洲市荷*** | 国省代码: | 湖南;43 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 发射极 放大 电路 污水处理 系统 | ||
技术领域
本实用新型是一种共发射极放大电路的地埋式污水处理系统,属于污水处理领域。
背景技术
地表水污染显而易见,地下水的污染却是触目惊心。根据《2015-2020年中国污水处理行业市场前瞻与投资战略规划分析报告前瞻》指出,中国13亿人口中,有70%饮用地下水,660多个城市中有400多个城市以地下水为饮用水源。但是据介绍,全国90%的城市地下水已受到污染。
随着现代工业化的发展,关于水污染的话题不断被提起,特别是地下水污染问题和温室效应下,淡水资源不断在减少,回收并利用污水的问题一旦解决,淡水资源的减少对人们生活用水将不会有太大的影响,民众环保意识的觉醒,对水污染的关切程度达到了空前。
地埋式污水处理设备是一种模块化的高效污水生物处理设备,是一种以生物膜为净化主体的污水生物处理系统,充分发挥了厌氧生物滤池、接触氧化床等生物膜反应器具有的生物密度大、耐污能力强、动力消耗低、操作运行稳定、维护方便的特点,使得该系统具有很广的应用前景和推广价值。
在污水处理过程中进出水量的控制不当会发生两种情况,当格栅的过栅流速增大,沉砂池的停留时间缩短,影响除渣的效果,生化系统的COD、BOD和氮、磷的负荷将增加,将导致系统超负荷,二沉池的沉降受到影响即水力超负荷,表面负荷超负荷,污泥通量过大,会产生污泥流失,出水超标;当流量减小,生化系统微生物的营养不足,供氧过剩,二沉池的水力停留时间过长,容易导致磷的释放。
实用新型内容
针对现有技术存在的不足,本实用新型目的是提供一种共发射极放大电路的地埋式污水处理系统,以解决污水处理过程中进出水量的控制不当的问题。
为了实现上述目的,本实用新型是通过如下的技术方案来实现:一种共发射极放大电路的地埋式污水处理系统,其结构包括活动上盖、MBR膜组件、隔板、反应器主体、侧面盖板、反应器活动门、操作间、鼓风机放置架、鼓风机、污水回流泵、水管、曝气管、流速仪。
所述的反应器主体的顶面左侧设有矩形状活动上盖,所述的活动上盖和反应器主体通过卡扣互相扣合,所述的MBR膜组件设有两组并互相平行,所述的两组MBR膜组件之间用水管连接并且其中一个MBR膜组件与污水回流泵活动连接,所述的水管和污水回流泵连通,所述的污水回流泵的左侧设有鼓风机并且二者之间用隔板隔开,所述的鼓风机设有两个以上并固定安装在鼓风机放置架上,所述的鼓风机放置架的底部焊接在反应器主体内腔底面,所述的反应器主体最右端设有操作间,所述的反应器活动门通过合页安装在操作间的最右端,所述的曝气管设有两个以上成一字阵型排列在MBR膜组件底部,所述的流速仪与污水回流泵机械连接,所述的侧面盖板焊接于反应器主体前后两侧。
所述的操作间设有电控箱,所述的电控箱和鼓风机、流速仪电连接,所述的流速仪设有螺旋帽、螺旋桨、旋转轴承管、电线连接端、支架安装孔、调节阀、尾翼、尾杆、尾椎、电线、安装筒、高度调节旋钮、小电机。
所述的螺旋桨由两个以上弧形扇叶组成的螺旋结构,所述的螺旋桨左端设有螺旋帽,所述的螺旋帽和螺旋桨螺纹连接,所述的螺旋桨另一端设有旋转轴承管,所述的旋转轴承管和螺旋桨活动连接,所述的旋转轴承管外表面从左至右依次焊接有电线连接端、支架安装孔和调节阀,所述的旋转轴承管右端与尾杆首端采用过盈配合,所述的尾杆的尾端安装有尾椎,所述的尾翼的底部设有凸起与尾杆上的凹槽相配合,所述的电线一端与电控箱电连接,所述的电线另一端与电线连接端固定连接,所述的安装筒贯穿旋转轴承管的支架安装孔,所述的安装筒上设有高度调节旋钮,所述的旋转轴承管内部设有小电机,所述的小电机与电线电连接。
所述的MBR膜组件包括膜框架、软管、集水管、膜支架、散气管、支脚,所述的膜框架的内部安装有两个以上的膜支架,所述的膜支架上设有平板膜和中空纤维膜,所述的膜框架的外表面设有三根散气管,所述的膜框架内部与套在软管内部的集水管连通。
进一步地,所述的鼓风机放置架为回型结构。
进一步地,所述的支脚设有两个以上并且固定安装膜框架底部。
进一步地,所述的安装筒包括外筒和内杆,所述的安装筒的顶部设有筒塞。
进一步地,所述的筒塞为水瓢状。
进一步地,所述的反应器主体为两个以上的根钢管互相垂直焊接成的矩形框架。
进一步地,所述的电控箱为矩形结构。
进一步地,所述的电控箱内部采用共发射极放大电路控制系统,所述的共发射极放大电路控制系统包括接地线、双极型三极管、普通三极管、集电极负载电阻、耦合电容、基偏置电阻。
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