[实用新型]采用缺陷接地结构的微波放大器

说明书

技术领域

本实用新型涉及微波通信领域，具体涉及采用缺陷接地结构的微波放大器。

背景技术

微波放大器用晶体管作为有源器件对微波信号实现放大的装置。分为微波大功率放大器、微波低噪声放大器两种。微波功率放大器用于放大较强的微波信号。主要指标有：①输出功率，②非线性失真。非线性失真将引起幅度调制信号，如AM、MQAM等的畸变，使限带信号频谱展宽。减小非线性失真的措施一般有功率回退法和预失真法。功率回退法是降低输出功率，使晶体管工作于线性区。是在输入信号内加入适当的失真成分，使其在放大器中与新产生的失真抵消。在采取了这些措施之后，非线性失真一般能达到要求。在大信号工作状态下，微波放大器会产生谐波失真的情况，因此会对基波信号产生损耗。

目前针对谐波失真多采用哑铃型缺陷接地结构，而传统的哑铃型缺陷接地结构要达到需要的抑制效果需要设置很多组，这就会提高微波放大器的带内波动，影响微波放大器性能。

实用新型内容

本实用新型所要解决的技术问题是传统的哑铃型缺陷接地结构要达到需要的抑制效果需要设置很多组，这就会提高微波放大器的带内波动，影响微波放大器性能，目的在于提供采用缺陷接地结构的微波放大器，解决上述问题。

本实用新型通过下述技术方案实现：

采用缺陷接地结构的微波放大器，包括微带通路、环形微带圈和横向微带线；所述横向微带线的轴线垂直于微带通路轴线，并布置于微带通路上方；所述横向微带线的两端均设置环形微带圈；所述环形微带圈包括两个高阻抗段和两个低阻抗段；所述两个高阻抗段和两个低阻抗段依次交替设置闭合形成环形微带圈；所述低阻抗段的宽度采用0.2～0.3mm；所述高阻抗段的宽度采用0.1～0.15mm。

现有技术中，目前针对谐波失真多采用哑铃型缺陷接地结构，而传统的哑铃型缺陷接地结构要达到需要的抑制效果需要设置很多组，这就会提高微波放大器的带内波动，影响微波放大器性能。本实用新型应用时，当微带通路通过微波时，横向微带线将微波导向环形微带圈，环形微带圈的两个高阻抗段和两个低阻抗段构成环形阶梯阻抗谐振器，从而对微波进行带外抑制，由于两个高阻抗段和两个低阻抗段彼此交叉耦合，产生零点，从而比起传统的缺陷接地结构，有更好的带外抑制效果，进而在需要达到相同的抑制效果时，所需数量较少，降低了微波放大器的带内波动和制作成本。本实用新型通过在环形微带圈设置两个高阻抗段和两个低阻抗段，从而提高了抑制效果，进而降低了微波放大器的带内波动和制作成本。

进一步的，所述横向微带线的端部连接于高阻抗段。

进一步的，所述两个高阻抗段和两个低阻抗段的长度之和采用微波波长。

进一步的，所述环形微带圈设置为方环形，且两个高阻抗段和两个低阻抗段分别位于该方环的四条边。

进一步的，所述横向微带线的数量为两个及以上，所述环形微带圈的数量为横向微带线两倍，所述横向微带线和与之相连接的两个环形微带圈构成一个阵列单元；所述阵列单元的数量与横向微带线相同，且两个及以上阵列单元构成阵列。

本实用新型应用时，横向微带线和与之相连接的两个环形微带圈构成一个阵列单元，两个及以上阵列单元又构成阵列，从而提高了带外抑制效果。

本实用新型与现有技术相比，具有如下的优点和有益效果：

1、本实用新型采用缺陷接地结构的微波放大器，通过在环形微带圈设置两个高阻抗段和两个低阻抗段，从而提高了抑制效果，进而降低了微波放大器的带内波动和制作成本；

2、本实用新型采用缺陷接地结构的微波放大器，横向微带线和与之相连接的两个环形微带圈构成一个阵列单元，两个及以上阵列单元又构成阵列，从而提高了带外抑制效果。

附图说明

此处所说明的附图用来提供对本实用新型实施例的进一步理解，构成本申请的一部分，并不构成对本实用新型实施例的限定。在附图中：

图1为本实用新型结构示意图。

附图中标记及对应的零部件名称：

1-微带通路，2-环形微带圈，3-横向微带线，21-低阻抗段，22-高阻抗段。

具体实施方式

为使本实用新型的目的、技术方案和优点更加清楚明白，下面结合实施例和附图，对本实用新型作进一步的详细说明，本实用新型的示意性实施方式及其说明仅用于解释本实用新型，并不作为对本实用新型的限定。

实施例