[实用新型]一种DFN2020‑3高密度框架有效
| 申请号： | 201720738416.2 | 申请日： | 2017-06-23 |
| 公开（公告）号： | CN206849835U | 公开（公告）日： | 2018-01-05 |
| 发明（设计）人： | 罗天秀;樊增勇;崔金忠;李东;张明聪;许兵;李宁 | 申请（专利权）人： | 成都先进功率半导体股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/495 | 分类号： | H01L23/495 |
| 代理公司： | 四川力久律师事务所51221 | 代理人： | 王芸,熊晓果 |
| 地址： | 611731 四川*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 dfn2020 高密度 框架 | ||
1.一种DFN2020-3高密度框架，包括矩形片状结构的框架，其特征在于，在框架上设有多个与DFN2020-3封装结构相适应的芯片安装部，所述芯片安装部包括芯片安置区和引脚安装槽，在每个芯片安装部内设有两个引脚安装槽，且设有将两个引脚安装槽连接的引脚槽连接板，所述引脚安装槽延伸并连接至芯片安装部之间设置的加强连筋上，所述芯片安置区周围设有芯片区支撑连筋，所述芯片区支撑连筋与芯片安装部之间设置的加强连筋相连。
2.根据权利要求1所述的DFN2020-3高密度框架，其特征在于，所述引脚槽连接板和芯片安置区之间留有极性分隔间隙。
3.根据权利要求1所述的DFN2020-3高密度框架，其特征在于，在每个芯片安装部的芯片安置区周围设有至少4个加强连筋，均分为2组对称设置于芯片安置区的两侧边。
4.根据权利要求1所述的DFN2020-3高密度框架，其特征在于，在相邻的芯片安装部之间的切割道宽度尺寸小于0.20mm。
5.根据权利要求4所述的DFN2020-3高密度框架，其特征在于，所述切割道分别为横向连接筋和竖向连接筋，所述横向连接筋和竖向连接筋的宽度小于0.13mm。
6.根据权利要求5所述的DFN2020-3高密度框架，其特征在于，在芯片安装部的四个角上均设有十字连接筋，所述十字连接筋设置在竖向连接筋和横向连接筋交叉的位置。
7.根据权利要求1-6之一所述的DFN2020-3高密度框架，其特征在于，在框架的边框和布置芯片的区域之间设置有一圈边框护架，所述边框护架为半腐蚀结构，在边框护架上间隔设有镂空槽。
8.根据权利要求7所述的DFN2020-3高密度框架，其特征在于，靠近边框的芯片安装部与边框护架连接，该芯片安装部的芯片区支撑连筋延伸至边框护架上。
9.根据权利要求7所述的DFN2020-3高密度框架，其特征在于，在边框护架和边框之间还设有一圈边框切割道，包括横向边框切割道和竖向边框切割道，在横向边框切割道和竖向边框切割道上间隔挖有多个空槽。
10.根据权利要求9所述的DFN2020-3高密度框架，其特征在于，在横向边框切割道和竖向边框切割道上均设有用于相邻芯片安装部切割的定位槽。
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