[实用新型]多晶硅还原炉电极

权利要求书

1.多晶硅还原炉电极，其特征在于：其包括能与石墨座锥孔配合的锥头，及中心设置有水冷空腔的电极体，所述电极体周围穿套有绝缘套筒且其与锥头固定相连，其中电极体与锥头对接相连的一段为连接段；该连接段与锥头外表面均设置有双粗化层，所述连接段与锥头的双粗化层上分别喷涂有结合层，而结合层的外表面设置有外涂层；

其中，双粗化层包括第一粗化层及第二粗化层，第一粗化层设置于连接段与锥头的外表面，而第二粗化层则设置于第一粗化层的外表面。

2.根据权利要求1所述的多晶硅还原炉电极，其特征在于：所述第一粗化层为采用喷砂或抛丸工艺所形成的不规则凹凸层。

3.根据权利要求1所述的多晶硅还原炉电极，其特征在于：所述第二粗化层为采用拉毛工艺于第一粗化层外表面形成点状凸起的结构。

4.根据权利要求1所述的多晶硅还原炉电极，其特征在于：所述结合层为纯银粉末为原料制成的喷涂层，或结合层为纯银粉末与一种或几种陶瓷粉末组合的混合粉末为原料制成的喷涂层，或结合层为镍、铝合金任意一种金属材料制成的喷涂层。

5.根据权利要求1所述的多晶硅还原炉电极，其特征在于：所述外涂层为纯银粉末为原料制成的喷涂层，或外涂层为纯银粉末与一种或几种陶瓷粉末组合的混合粉末为原料制成的喷涂层。

6.根据权利要求1所述的多晶硅还原炉电极，其特征在于：所述外涂层包括第一外涂层及第二外涂层；其中，所述第一外涂层为锥头外围设置导体层，第二外涂层为连接段外围设置由纯陶瓷粉末制成的绝缘层。

7.根据权利要求6所述的多晶硅还原炉电极，其特征在于：所述第一外涂层为纯银粉末为原料制成的喷涂层。

8.根据权利要求6所述的多晶硅还原炉电极，其特征在于：所述第一外涂层为纯银粉末与一种或几种陶瓷粉末组合的混合粉末为原料制成的喷涂层。

9.根据权利要求1至8任意一项所述的多晶硅还原炉电极，其特征在于：所述结合层的厚度范围为0.2mm～0.8mm，所述外涂层的厚度范围为0.1mm～2.0mm。

10.根据权利要求1至8任意一项所述的多晶硅还原炉电极，其特征在于：所述结合层的粗度范围为10～100μm，外涂层的粗度范围为20～50μm。