[实用新型]一种套筒式LTE宽频微带全向天线

说明书

技术领域

本实用新型涉及天线技术领域，具体涉及一种套筒式LTE宽频微带全向天线。

背景技术

LTE(Long Term Evolution)项目是3G演进，它改进并增强了3G空中接入技术，采用OFDM（Orthogonal Frequency Division Multiplexing）和MIMO(Multiple Input Multiple Output)作为无线网络演进的唯一标准。在20MHz频谱带宽下能够提供下行100Mbit/s与上行50Mbit/s的峰值速率。改善了小区边缘用户的性能，提高小区容量和降低系统延迟。在3G持续优化和4G演进的格局下，面对频谱资源严重匮乏、大流量业务的激增，在天线等配套设备上引入创新技术已经被运营商列为重点项目。

目前LTE终端天线存在的缺点是天线辐射效率低、驻波带宽窄、全向性差。

发明内容

本实用新型的目的是针对现有技术中的上述不足，提供了一种套筒式LTE宽频微带全向天线，包括有PCB板；所述PCB板设有射频同轴线以及天线辐射体；所述射频同轴线的线芯层与天线辐射体连接；所述射频同轴线与天线辐射体之间设有高频扼流套筒以及低频扼流套筒；所述高频扼流套筒的开口方向与低频扼流套筒的开口方向相同；所述PCB板还包括有与高频扼流套筒开口方向相反的匹配套筒。

本实用新型进一步设置为，所述低频扼流套筒设于PCB板的外侧；所述高频扼流套筒设于PCB板的内侧。

本实用新型进一步设置为，所述低频扼流套筒的长度为低频中心频率的四分之一波长。

本实用新型进一步设置为，所述高频扼流套筒的长度为高频中心频率的四分之一波长。

本实用新型进一步设置为，所述天线辐射体包括依次设置的第一辐射体、第二辐射体、第三辐射体以及第四辐射体；所述第一辐射体与射频同轴线连接；所述第一辐射体与第二辐射体之间设有第一缝隙；所述第二辐射体与第三辐射体之间设有第二缝隙；所述第三辐射体与第四辐射体之间设有第三缝隙。

本实用新型进一步设置为，所述第一缝隙、第二缝隙以及第三缝隙均设于天线辐射体的上端。

本实用新型进一步设置为，所述高频扼流套筒、低频扼流套筒以及匹配套筒均为平面套筒。

本实用新型进一步设置为，所述匹配套筒与天线辐射体之间设有CPW传输线。

本实用新型的有益效果：本实用新型达到一下效果：

1.通过设置高频与低频双平面扼流套筒，有利于保证高低频段的方向图全向性，同时减少天线的热电缆效应。

2.通过设置匹配套筒有利于提高天线阻抗带宽。

3.通过在辐射体设置三条缝隙有利于提高天线阻抗带宽，缝隙设置于辐射体上端有利于保证低频部分的增益及方向图。

附图说明

利用附图对实用新型作进一步说明，但附图中的实施例不构成对本实用新型的任何限制，对于本领域的普通技术人员，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据以下附图获得其它的附图。

图1是本实用新型的结构示意图；

图2是图1中A部分的局部放大图；

图3是图1中B部分的局部放大图；

图1至图3中的附图标记说明：

1-PCB板；2-射频同轴线；3-天线辐射体；31-第一辐射体；32-第二辐射体；33-第三辐射体；34-第四辐射体；4-高频扼流套筒；5-低频扼流套筒；6-匹配套筒；71-第一缝隙；72-第二缝隙；73-第三缝隙；8-CPW传输线。

具体实施方式

结合以下实施例对本实用新型作进一步描述。

由图1至图3可知；本实施例所述的一种套筒式LTE宽频微带全向天线，包括有PCB板1；所述PCB板1设有射频同轴线2以及天线辐射体3；所述射频同轴线2的线芯层与天线辐射体3连接；所述射频同轴线2与天线辐射体3之间设有高频扼流套筒4以及低频扼流套筒5；所述高频扼流套筒4的开口方向与低频扼流套筒5的开口方向相同；所述PCB板1还包括有与高频扼流套筒4开口方向相反的匹配套筒6。