[实用新型]一种低损耗自适应偏置电路及无线发射系统有效
| 申请号： | 201720747104.8 | 申请日： | 2017-06-23 |
| 公开（公告）号： | CN207218642U | 公开（公告）日： | 2018-04-10 |
| 发明（设计）人： | 蔡秋富;章国豪 | 申请（专利权）人： | 广东工业大学 |
| 主分类号： | H03F1/02 | 分类号： | H03F1/02;H03F1/32;H03F3/19;H03F3/21;H03F3/24;H04B1/04 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司11227 | 代理人： | 罗满 |
| 地址： | 510062 广东省*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 损耗 自适应 偏置 电路 无线 发射 系统 | ||
【权利要求书】：
1.一种低损耗自适应偏置电路，其特征在于，包括具有电流镜结构的第一NPN型三极管和第二NPN型三极管、晶体管和偏置电容；
所述第一NPN型三极管的集电极与基极连接，发射极和功率放大器的功率管的控制端连接；
所述第二NPN型三极管的集电极与基极连接，发射极和所述晶体管的第一端连接，所述晶体管的第二端接地；
所述偏置电容的第一端分别与所述第一NPN型三极管的基极、所述第二NPN型三极管的基极以及供电电源连接，第二端接地。
2.根据权利要求1所述的低损耗自适应偏置电路，其特征在于，还包括电阻，所述电阻的第一端与所述供电电源连接，所述电阻的第二端分别与所述第一NPN型三极管的基极、所述第二NPN型三极管的基极以及所述偏置电容的第一端连接。
3.根据权利要求1或2所述的低损耗自适应偏置电路，其特征在于，所述晶体管为NPN型三极管，集电极与基极连接作为所述晶体管的第一端，发射极作为所述晶体管的第二端。
4.一种无线发射系统，包括功率放大器，其特征在于，还包括权利要求1-3任意一项所述的低损耗自适应偏置电路，与所述功率放大器中用于接收射频输入信号的功率管连接。
5.根据权利要求4所述的无线发射系统，其特征在于，所述功率管为异质结双极晶体管且为NPN型。
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