[实用新型]一种超低阈值的门控淬灭电路

权利要求书

1.一种超低阈值的门控淬灭电路，其特征是，包括充电管MOS管M2、淬灭管MOS管M1、MOS管M3、M4、M5、M6、M7、M8、M9、M10和M11；

MOS管M2与MOS管M1的漏极共连至A点及MOS管M3的源极；MOS管M1的源极接电源VDD；MOS管M2的源极接地；MOS管M2的栅极接ARM信号；MOS管M1的栅极接E点作为淬灭电路的输出STOP，同时连接至MOS管M11的漏极、MOS管M4的漏极及恒流源I的输出端，恒流源I的输入端连接至电源ADD；MOS管M3的栅极接信号，MOS管M3的漏极连接至B点及MOS管M7的源极、MOS管M5的漏极，MOS管M5源极接地；MOS管M11的源极接电源ADD，MOS管M11的栅极接信号；MOS管M4源极接地，MOS管M4的栅极接D点及MOS管M7、M9漏极共接点；MOS管M9的源极接电源VDD，MOS管M9的栅极连接点C及MOS管M10的栅极和漏极、MOS管M8的漏极，MOS管M10的源极接电源VDD；MOS管M7的栅极与MOS管M8的栅极、MOS管M5的栅极与MOS管M6的栅极共连接至VC，MOS管M8的源极连接至MOS管M6的漏极，MOS管M6的源极接地。

2.根据权利要求1所述的一种超低阈值的门控淬灭电路，其特征是，A点通过铟柱与SPAD连接。

3.根据权利要求1所述的一种超低阈值的门控淬灭电路，其特征是，ARM信号经过反相器后输出信号。

4.根据权利要求1所述的一种超低阈值的门控淬灭电路，其特征是，MOS管M9和M10的宽长比相等。

5.根据权利要求1所述的一种超低阈值的门控淬灭电路，其特征是，MOS管M7宽长比是MOS管M8的n倍，n>1。

6.根据权利要求1所述的一种超低阈值的门控淬灭电路，其特征是，MOS管M5宽长比是MOS管M6的n倍，n>1。

7.一种超低阈值的门控淬灭电路，其特征是，包括充电管MOS管M2、淬灭管MOS管M1、MOS管M4、M5、M6、M7、M8、M9、M10、M11、M12、M13和M14；

MOS管M2与MOS管M1的漏极共连至A点；MOS管M1的源极接电源VDD；MOS管M2的源极接地；MOS管M2的栅极接ARM信号；MOS管M1的栅极接E点作为淬灭电路的输出STOP，同时连接至MOS管M11的漏极、MOS管M4的漏极及恒流源I的输出端，恒流源I的输入端连接至电源ADD； MOS管M7的源极、MOS管M5的漏极共连至B点，经B点与A点相连；MOS管M5源极与MOS管M13的漏极连接，MOS管M13的源极接地，MOS管M13的栅极连接至E点；MOS管M11的源极接电源ADD，MOS管M11的栅极接信号；MOS管M4源极连接至MOS管M12的漏极，MOS管M12的栅极接信号，MOS管M12的源极接地，MOS管M4的栅极接D点及MOS管M7、M9漏极共接点；MOS管M9的源极接电源VDD，MOS管M9的栅极连接点C及MOS管M10的栅极和漏极、MOS管M8的漏极，MOS管M10的源极接电源VDD；MOS管M7的栅极与MOS管M8的栅极、MOS管M5的栅极与MOS管M6的栅极共连接至VC，MOS管M8的源极连接至MOS管M6的漏极，MOS管M6的源极连接至MOS管M14的漏极，MOS管M14的栅极接电源VDD，MOS管M14的源极接地。

8.根据权利要求7所述的一种超低阈值的门控淬灭电路，其特征是，MOS管M13宽长比是MOS管M14的n倍，n>1。

9.根据权利要求7所述的一种超低阈值的门控淬灭电路，其特征是，A点通过铟柱与SPAD连接。

10.根据权利要求7所述的一种超低阈值的门控淬灭电路，其特征是，ARM信号经过反相器后输出信号。