[实用新型]一种球顶扬声器有效
申请号: | 201720752813.5 | 申请日: | 2017-06-26 |
公开(公告)号: | CN206977694U | 公开(公告)日: | 2018-02-06 |
发明(设计)人: | 姜鑫;吕仕涌 | 申请(专利权)人: | 厦门东声电子有限公司 |
主分类号: | H04R9/06 | 分类号: | H04R9/06;H04R9/02 |
代理公司: | 厦门创象知识产权代理有限公司35232 | 代理人: | 尤怀成 |
地址: | 361000 福建省厦门市火*** | 国省代码: | 福建;35 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 扬声器 | ||
技术领域
本实用新型涉及扬声器领域,具体涉及一种球顶扬声器。
背景技术
现有的扬声器中的复合结构球顶常为铝合金、钛合金、镁合金等复合膜,其制备工艺复杂,成本高。另外,现有复合结构球顶为平板状,通过在球顶下方涂覆胶水以粘结音圈,其弊端在于:1、胶水的涂覆轨迹需与音圈的轮廓一致,对胶水的轨迹管控要求较高,容易出现部分区域胶水过多溢出,而部分区域却缺乏胶水;2、当扬声器应用于手机、平板等便携电子产品时,对其厚度尺寸有着严苛的限制,平板式球顶与音圈粘连时,球顶与前盖之间的距离有限,而使用胶水粘结,又进一步使得球顶与前盖之间的距离减小,在扬声器低频大振幅情况下,极易发生振动干涉杂音问题,因而,对胶水的涂覆高度的管控要求较高。
实用新型内容
本实用新型的目的在于克服上述现有技术的不足,提供一种球顶扬声器。
为实现上述目的,本实用新型采用以下技术方案:
一种球顶扬声器,包括基架、磁路构件、音圈、折环、球顶及前盖,所述折环安装于前盖与基架之间,所述球顶安装在折环的中心区域,所述球顶设有环其边缘且向上凹陷的环形沟槽,所述环形沟槽的形状与所述音圈的形状吻合,所述音圈胶粘于所述环形沟槽。
进一步地,所述球顶由高分子材质制成,所述球顶中心向上凹陷形成半球形沟槽。
进一步地,所述半球形沟槽与所述环形沟槽之间设有若干道向上凹陷的条状沟槽。
进一步地,所述高分子材料为PEN。
进一步地,所述磁路构件包括磁碗、位于磁碗中的磁铁以及位于磁铁上端面的华司,所述华司的上端面沿其边缘减薄以形成一环状台阶。
采用上述技术方案后,本实用新型与背景技术相比,具有如下优点:
1、球顶边缘设有与音圈轮廓一致的环形沟槽,所述环形沟槽作为导胶槽使用,有效防止胶水外溢,从而与音圈可靠粘合,并极大降低了胶水涂覆的作业难度;且所述环形沟槽呈向上凹陷设计,使得其与音圈的粘结位置高出球顶的平面高度,增加了球顶与前盖之间的距离,避免了振动干涉杂音问题,并为扬声器的低频提升提供空间;
2、磁路构件中,华司的上端面沿其边缘减薄以形成一环状台阶,从而有效提升了磁力线的密度,降低漏磁,加上优化后具有较大振动空间的球顶,极大提升了扬声器的电声性能;
3、球顶采用高分子材料制作,加工有条状沟槽进行刚性的补强,中心则加工有半球形凹槽,且所述条状沟槽、环形沟槽及半球状凹槽与球顶一体成型,工艺简单,成本低廉,质量轻便的同时又具备较好的刚性,综合了传统硬球顶与软球顶的优点,使其中高频响应优异、瞬态特性好、失真小、音质较好。
附图说明
图1为本实用新型总成图;
图2为本实用新型爆炸图;
图3为本实用新型横剖视图;
图4为本实用新型球顶示意图;
图5为本实用新型华司示意图。
具体实施方式
为了使本实用新型的目的、技术方案及优点更加清楚明白,以下结合附图及实施例,对本实用新型进行进一步详细说明。应当理解,此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本实用新型,并不用于限定本实用新型。
实施例
如图1及图2所示,一种球顶扬声器,包括基架1、磁碗2、磁铁3、华司4、音圈5、折环6、球顶7及前盖8。折环6装夹在前盖8与基架1之间,球顶7粘接在折环6的中心区域61处。如图2、图3及图4所示,球顶7设有环其边缘且向上凹陷的环形沟槽71,环形沟槽71的形状与音圈5的形状吻合,在环形沟槽71中涂覆胶水,音圈5的上端面胶粘于环形沟槽71中。
球顶7由高分子材质制成,本实施例中,采用PEN材料制作。球顶7的中心向上凹陷形成半球形凹槽72,半球形凹槽72与环形沟槽71之间设有若干道向上凹陷的条状沟槽73。
磁碗2、位于磁碗2中的磁铁3以及位于磁铁3上端面的华司4构成磁路构件。如图5所示,华司4的上端面沿其边缘减薄以形成一环状台阶41,由于磁力线沿磁阻最小的路径通过,所以华司4压薄的地方为最近路径,许多磁力线在此处聚集,通过华司4传导,从而有效提升了磁力线的密度,使扬声器的灵敏度提高,加上优化后具有较大振动空间的球顶,极大提升了扬声器的电声性能。
以上所述,仅为本实用新型较佳的具体实施方式,但本实用新型的保护范围并不局限于此,任何熟悉本技术领域的技术人员在本实用新型揭露的技术范围内,可轻易想到的变化或替换,都应涵盖在本实用新型的保护范围之内。因此,本实用新型的保护范围应该以权利要求的保护范围为准。
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