[实用新型]一种用于提高散热的半导体激光器封装结构有效
| 申请号： | 201720753206.0 | 申请日： | 2017-06-27 |
| 公开（公告）号： | CN206992476U | 公开（公告）日： | 2018-02-09 |
| 发明（设计）人： | 王警卫;刘兴胜 | 申请（专利权）人： | 西安炬光科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01S5/022 | 分类号： | H01S5/022;H01S5/024 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 710077 陕西省西安市西安市高*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 用于 提高 散热 半导体激光器 封装 结构 | ||
1.一种用于提高散热的半导体激光器封装结构，其特征在于，包括：激光芯片、基础热沉；其中，所述激光芯片键合于基础热沉的上表面，所述基础热沉的前端面相对于基础热沉的下表面呈非垂直状。
2.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于，所述基础热沉的前端面相对于下表面的倾斜角度为：大于0°，且小于90°。
3.根据权利要求2所述的封装结构，其特征在于，所述基础热沉的前端面相对于下表面的倾斜角度为：大于等于30°，且小于等于60°。
4.根据权利要求3所述的封装结构，其特征在于，所述基础热沉的前端面相对于下表面的倾斜角度为：45°。
5.根据权利要求1至4任一项所述的封装结构，其特征在于，所述封装结构还包括：匹配层，所述激光芯片经匹配层键合于所述基础热沉的上表面。
6.根据权利要求5所述的封装结构，其特征在于，所述匹配层的热膨胀系数与激光芯片的热膨胀系数相匹配。
7.根据权利要求6所述的封装结构，其特征在于，所述匹配层为：铜钨、和/或覆铜氮化铝陶瓷、和/或铜金刚石、和/或石墨铜、和/或石墨铝、和/或石墨烯。
8.根据权利要求1至4任一项所述的封装结构，其特征在于，所述键合为：将所述激光芯片前端、以及所述基础热沉前端平齐进行键合。
9.根据权利要求1至4任一项所述的封装结构，其特征在于，所述基础热沉的前端面还设置有台阶槽，所述台阶槽，用于放置光学整形部件。
10.根据权利要求9所述的封装结构，其特征在于，所述台阶槽还用于容纳键合时溢出的焊料。
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