[实用新型]雪崩二极管和雪崩二极管阵列

权利要求书

1.一种雪崩二极管，其特征在于，包括：

PN结；

第一深沟槽结构，所述第一深沟槽结构与所述PN结相邻；以及

光子进行撞击所经由的区域，所述PN结相对于所述区域基本上纵向地延伸。

2.如权利要求1所述的雪崩二极管，其特征在于，包括第二深沟槽结构，所述第二深沟槽结构在所述PN结的与所述第一深沟槽结构相反的一侧上。

3.如权利要求1或2所述的雪崩二极管，其特征在于，所述深沟槽结构具有导电材料和绝缘材料之一。

4.如权利要求3所述的雪崩二极管，其特征在于，所述导电材料包括多晶体硅或钨。

5.如权利要求3所述的雪崩二极管，其特征在于，所述绝缘材料包括氧化硅。

6.一种雪崩二极管阵列，其特征在于，每个雪崩二极管如权利要求1-5中任一项所述。

7.如权利要求6所述的雪崩二极管阵列，其特征在于，包括：公共阳极，所述雪崩二极管耦合至所述公共阳极；以及或门，所述阵列的每个雪崩二极管的输出端耦合至所述或门。

8.如权利要求6或7所述的雪崩二极管阵列，其特征在于，所述阵列的所述雪崩二极管中的至少一个雪崩二极管的所述沟槽结构或所述沟槽结构之一与所述阵列的一个或多个其他雪崩二极管共享。