[实用新型]一种碳化硅加工自动测温装置

说明书

技术领域

本实用新型涉及测温设备技术领域，具体为一种碳化硅加工自动测温装置。

背景技术

碳化硅是世界上硬度仅次于金刚石的晶体材料，由于具有高声速、耐高温、抗腐蚀、高硬度、高透光性、熔点高(2045℃)等优良的物理、机械、化学及红外透光性能，一直是微电子、航空航天、军工等领域急需的材料，凭借其极高的强度、硬度、红外透过性能和抗热冲击性能。该材料在光学窗口、半导体照明、微波器件等领域都有广泛的应用，已成为用量仅次于硅单晶的一种功能晶体材料。尤其是光学级大尺寸碳化硅材料，由于其具有性能稳定、市场需求量大、综合利用率及产品附加值高等特点，成为近年国内外研究开发和产业化热点。碳化硅晶体的生长方法很多，但只有泡生法才能获得缺陷和应力少的大尺寸高光学质量的碳化硅晶体，目前70％的碳化硅材料是由泡生法制造的。泡生法碳化硅晶体制造的一般过程是将一根受冷的籽晶与熔体接触，如果界面的温度低于凝固点，则籽晶开始生长，为了使晶体不断长大，就需要逐渐降低熔体的温度，同时旋转晶体，以改善熔体的温度分布。也可以缓慢的(或分阶段的)上提晶体，以扩大散热面。晶体在生长过程中或生长结束时不与坩埚壁接触，这就大大减少了晶体的应力。不过，当晶体与剩余的熔体脱离时，通常会产生较大的热冲击。泡生法碳化硅晶体制造包括化料、引晶、放肩、等径及脱锅、退火等过程。由于生长温度高达2100度，碳化硅晶体生长过程的控制目前还只能目测，尤其是最关键的引晶过程，全过程长达12小时，且都需要肉眼通过观察窗口对过程进行监控。一般碳化硅炉的观察窗口是一个厚度在20左右的石英玻璃平整圆片，由于观察口距离液面较高，很难清楚的看到晶体生长的情况，并且观察窗口的位置处在炉盖上，位置比较高，不方便进行长时间观测。现有的测温装置对炉温的测量不够全面，由于炉内部温度在不同区域会有轻微差异，导致温度测量不精确，为此，提出一种碳化硅加工自动测温装置。

实用新型内容

本实用新型的目的在于提供一种碳化硅加工自动测温装置，以解决上述背景技术中提出的问题。

为实现上述目的，本实用新型提供如下技术方案：一种碳化硅加工自动测温装置，包括立于两侧的支撑架，所述支撑架通过连接于两支撑架顶部的第一转轴连接有可绕第一转轴转动的活动箱，所述活动箱的顶部外侧设有微型计算机和显示器，所述支撑架的外侧面设有弧形槽，所述活动箱的外侧壁连接有贯穿弧形槽的第二紧固螺栓，所述活动箱的内部通过与第一转轴垂直的第二转轴固定连接有安装架，所述安装架的底部安装有红外线温度侦测器，所述第二转轴的端部贯穿活动箱连接有转盘，转盘的外侧设有用于连接转盘和活动箱的第一紧固螺栓；所述红外线温度侦测器和显示器均与微型计算机电性连接。

优选的，所述第二转轴的数量不少于两个，且第二转轴等距分布在活动箱的内侧。

优选的，所述微型计算机的内部包括互相电性连接的光电信号转换电路、A/D转换器和单片机。

优选的，所述活动箱的顶部右侧设有把手，且把手的外侧设有防滑纹。

优选的，所述支撑架的底部左右两侧均设有安装孔，且安装孔的数量不少于四个。

优选的，所述第一紧固螺栓的外侧设有防滑纹。

与现有技术相比，本实用新型的有益效果是：该装置通过多个红外线温度侦测器对炉内不同位置进行温度侦测，然后在显示器上进行显示，方便于人的观测，通过对多个温度的平均测算可以得到较为精确的炉内温度。

附图说明

图1为本实用新型主视剖面结构示意图；

图2为本实用新型侧视剖面结构示意图；

图3为本实用新型右视结构示意图；

图4为本实用新型主视结构示意图。

图中：1支撑架、2第一转轴、3活动箱、4微型计算机、5显示器、6第二转轴、7安装架、8红外线温度侦测器、9转盘、10第一紧固螺栓、11第二紧固螺栓、12弧形槽、13把手、14安装孔。

具体实施方式

下面将结合本实用新型实施例中的附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本实用新型保护的范围。