[实用新型]一种化合物半导体器件的金属结构有效
| 申请号： | 201720772654.5 | 申请日： | 2017-06-29 |
| 公开（公告）号： | CN207068863U | 公开（公告）日： | 2018-03-02 |
| 发明（设计）人： | 吕前宏;茆同海 | 申请（专利权）人： | 厦门市三安集成电路有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/45 | 分类号： | H01L29/45;H01L29/41 |
| 代理公司： | 厦门市首创君合专利事务所有限公司35204 | 代理人： | 张松亭,陈淑娴 |
| 地址： | 361000 福建省厦门*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 化合物 半导体器件 金属结构 | ||
【权利要求书】：
1.一种化合物半导体器件的金属结构，其特征在于：所述金属结构设于化合物半导体基底之上，包括下金属层、阻挡层以及上金属层，其中所述下金属层与所述化合物半导体基底接触，所述阻挡层覆盖所述下金属层的顶面和侧面并延伸至覆盖所述下金属层周边的所述化合物半导体基底表面，所述上金属层设置于所述阻挡层的顶面之上。
2.根据权利要求1所述的化合物半导体器件的金属结构，其特征在于：所述下金属层的厚度为0.1～10nm，所述阻挡层的厚度为10～100nm，所述上金属层的厚度为100-1000nm。
3.根据权利要求1所述的化合物半导体器件的金属结构，其特征在于：所述阻挡层为Ti。
4.根据权利要求1或3所述的化合物半导体器件的金属结构，其特征在于：所述上金属层为Au。
5.根据权利要求1或3所述的化合物半导体器件的金属结构，其特征在于：所述下金属层为Pt。
6.根据权利要求1所述的化合物半导体器件的金属结构，其特征在于：所述化合物半导体基底是GaAs、GaN、InP或InGaP。
7.根据权利要求1所述的化合物半导体器件的金属结构，其特征在于：所述金属结构通过金属蒸镀制得，且阻挡层的蒸镀角度大于上金属层和下金属层的蒸镀角度。
8.根据权利要求7所述的化合物半导体器件的金属结构，其特征在于：所述上金属层和所述下金属层等宽。
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