[实用新型]具有电磁屏蔽性能的硫系光学元件有效
| 申请号： | 201720775038.5 | 申请日： | 2017-06-29 |
| 公开（公告）号： | CN206990839U | 公开（公告）日： | 2018-02-09 |
| 发明（设计）人： | 邱阳;陈玮;金扬利;祖成奎;韩滨;徐博 | 申请（专利权）人： | 中国建筑材料科学研究总院 |
| 主分类号： | G02B1/113 | 分类号： | G02B1/113;G02B1/111;G02B1/10;G02B1/00 |
| 代理公司： | 北京鼎佳达知识产权代理事务所(普通合伙)11348 | 代理人： | 王伟锋,刘铁生 |
| 地址： | 100024*** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 具有 电磁 屏蔽 性能 光学 元件 | ||
1.一种具有电磁屏蔽性能的硫系光学元件，其特征在于：其包括：
硫系光学元件基层；
无机膜层，附着在所述的基层上；
有机涂层，附着在所述的无机膜层上；
石墨烯透红外电磁屏蔽膜，附着在所述的有机涂层。
2.根据权利要求1所述的具有电磁屏蔽性能的硫系光学元件，其特征在于，所述的无机膜层的材料为SiO2、Al2O3或HfO2。
3.根据权利要求1所述的具有电磁屏蔽性能的硫系光学元件，其特征在于，所述的有机涂层的材料为聚酰亚胺树脂或有机硅树脂。
4.根据权利要求1所述的具有电磁屏蔽性能的硫系光学元件，其特征在于，所述的石墨烯透红外电磁屏蔽膜为制备在铜箔上的低缺陷石墨烯薄膜。
5.根据权利要求2所述的具有电磁屏蔽性能的硫系光学元件，其特征在于，所述的无机膜层的材料为SiO2时，无机膜层的厚度为5-30nm。
6.根据权利要求2所述的具有电磁屏蔽性能的硫系光学元件，其特征在于，所述的无机膜层的材料为Al2O3时，无机膜层的厚度为10-25nm。
7.根据权利要求2所述的具有电磁屏蔽性能的硫系光学元件，其特征在于，所述的无机膜层的材料为HfO2时，无机膜层的厚度为10-30nm。
8.根据权利要求3所述的具有电磁屏蔽性能的硫系光学元件，其特征在于，所述的有机涂层为聚酰亚胺树脂时，有机涂层的厚度为6-12μm。
9.根据权利要求3所述的具有电磁屏蔽性能的硫系光学元件，其特征在于，所述的有机涂层为有机硅树脂时，有机涂层的厚度为8-12μm。
10.根据权利要求1所述的具有电磁屏蔽性能的硫系光学元件，其特征在于，所述的石墨烯透红外电磁屏蔽膜的层数为3-10层。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国建筑材料科学研究总院，未经中国建筑材料科学研究总院许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201720775038.5/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种微小型光学镜片的自动涂墨装置
- 下一篇：一种新型光学透镜制造装置
