[实用新型]感光元件及TOF距离传感器

权利要求书

1.一种感光元件，其特征在于，包括：

P型轻掺杂的衬底；所述衬底包括感光区；

位于所述衬底上的电极组；所述电极组包括：至少两个P型重掺杂的电极；所述至少两个P型重掺杂的电极中相邻的两个电极之间存在间隙；

两个N型重掺杂的信号读出点，分别位于所述电极组的两侧；所述电极组与两个所述信号读出点位于所述感光区；以及

读出电路，连接于所述两个N型重掺杂的信号读出点之间，用于通过所述信号读出点读取光生信号电荷；其中，

在曝光至所述读出电路通过所述信号读出点读取所述光生信号电荷期间，在朝向读取光生信号电荷的信号读出点的方向上，所述至少两个P型重掺杂的电极上施加的电压递增，所述光生信号电荷为所述衬底因吸收光而产生。

2.根据权利要求1所述的感光元件，其特征在于，所述电极组包括依次排列的第一电极、第二电极、第三电极以及第四电极；

所述信号读出点包括与所述第一电极相邻的第一信号读出点以及与所述第四电极相邻的第二信号读出点。

3.根据权利要求2所述的感光元件，其特征在于，所述第一电极上施加第一电压信号，所述第二电极上施加第二电压信号，所述第三电极上施加第三电压信号，所述第四电极上施加第四电压信号；

所述第一电压信号、所述第二电压信号、所述第三电压信号以及所述第四电压信号均为占空比为1：1的方波信号；

所述第一电压信号与所述第二电压信号同步，所述第一电压信号与所述第三电压信号为互为反向，所述第三电压信号与所述第四电压信号同步；

所述第一电压信号的高电平与所述第四电压信号的高电平相同，所述第一电压信号的低电平与所述第四电压信号的低电平相同；

所述第二电压信号的高电平与所述第三电压信号的高电平相同，所述第二电压信号的低电平与所述第三电压信号的低电平相同；

所述第一电压信号的高电平高于所述第二电压信号的高电平，所述第一电压信号的低电平低于所述第二电压信号的低电平。

4.根据权利要求1所述的感光元件，其特征在于，所述衬底包括用于曝光的第一侧与背光的第二侧；所述电极组位于所述第一侧；所述感光元件还包括：

P型偏置层，位于所述第二侧，所述P型偏置层上施加的电压低于所述至少两个P型重掺杂的电极中任意电极上施加的电压。

5.根据权利要求4所述的感光元件，其特征在于，还包括：

P型轻掺杂的外延层，位于所述第一侧，所述电极组位于所述外延层上；所述外延层的掺杂浓度低于所述衬底的掺杂浓度；

所述信号读出点位于所述外延层上。

6.根据权利要求4所述的感光元件，其特征在于，所述衬底还包括位于所述第一侧的非感光区，所述感光元件还包括：

遮光片，位于所述非感光区之上。

7.根据权利要求6所述的感光元件，其特征在于，还包括：

滤波膜，位于所述遮光片上方允许预设频率的光通过，所述衬底吸收所述预设频率的光产生所述光生信号电荷。

8.根据权利要求6所述的感光元件，其特征在于，还包括：

微聚镜，位于所述遮光片上方、覆盖所述感光区与所述非感光区且用于将接收的光汇聚在所述感光区。

9.根据权利要求1所述的感光元件，其特征在于，所述衬底包括背光的第一侧与用于曝光的第二侧；所述电极组位于所述第一侧；所述感光元件还包括：

P型偏置层，位于所述第二侧，所述P型偏置层上施加的电压低于所述至少两个P型重掺杂的电极中任意电极上施加的电压。

10.根据权利要求9所述的感光元件，其特征在于，还包括：

滤波膜，位于所述P型偏置层上允许预设频率的光通过，所述衬底吸收所述预设频率的光产生所述光生信号电荷。