[实用新型]一种DFB激光器外延片有效
| 申请号： | 201720777435.6 | 申请日： | 2017-06-30 |
| 公开（公告）号： | CN207069287U | 公开（公告）日： | 2018-03-02 |
| 发明（设计）人： | 单智发 | 申请（专利权）人： | 苏州全磊光电有限公司 |
| 主分类号： | H01S5/12 | 分类号： | H01S5/12;H01S5/343 |
| 代理公司： | 苏州翔远专利代理事务所(普通合伙)32251 | 代理人： | 刘计成 |
| 地址： | 215000 江苏省苏州*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 dfb 激光器 外延 | ||
【权利要求书】：
1.一种DFB激光器外延片，包括衬底（01），所述衬底（01）的正面上依次沉积有第一缓冲层（02）、限制层（03）、下波导层（04）、量子阱（05）、上波导层（06）、上限制层（07）、第二缓冲层（08）、腐蚀阻挡层（09）、包层（10）和蚀刻的光栅制作层（11），光栅制作层（11）上依次生长有二次外延层（12）、势垒渐变层（13、14）和欧姆接触层（15），其特征在于：所述衬底（01）的背面设有保护层（00）。
2.根据权利要求1所述的DFB激光器外延片，其特征在于：所述衬底（01）为磷化铟衬底。
3.根据权利要求2所述的DFB激光器外延片，其特征在于：所述保护层的厚度为20-200nm。
4.根据权利要求2所述的DFB激光器外延片，其特征在于：所述磷化铟衬底背面的保护层为SiNx、AlO3、HfO2、HfSiOx中的一种或几种。
5.根据权利要求2所述的DFB激光器外延片，其特征在于：所述磷化铟衬底背面的保护层的生长方式为原子层沉积、等离子增强化学气相沉积、磁控溅射沉积或电子束蒸发沉积。
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