[实用新型]N型GaN极化掺杂欧姆接触电极有效
| 申请号： | 201720784788.9 | 申请日： | 2017-07-01 |
| 公开（公告）号： | CN206947351U | 公开（公告）日： | 2018-01-30 |
| 发明（设计）人： | 房玉龙;宋旭波;冯志红 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第十三研究所 |
| 主分类号： | H01L29/45 | 分类号： | H01L29/45 |
| 代理公司： | 石家庄国为知识产权事务所13120 | 代理人： | 李荣文 |
| 地址： | 050051 *** | 国省代码： | 河北;13 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | gan 极化 掺杂 欧姆 接触 电极 | ||
【权利要求书】：
1.N型GaN极化掺杂欧姆接触电极，欧姆接触电极与N型GaN极化掺杂结构直接接触，其特征在于：直接与N型GaN极化掺杂结构接触的为一层Si，Si上方为金属层。
2.根据权利要求1所述的N型GaN极化掺杂欧姆接触电极，其特征在于所述Si扩散进N型GaN极化掺杂结构中。
3.根据权利要求1所述的N型GaN极化掺杂欧姆接触电极，其特征在于所述Si上方为Ti/ Al金属层。
4.根据权利要求3所述的N型GaN极化掺杂欧姆接触电极，其特征在于所述Ti/ Al金属层上方为Pt/Au、Ni/Au或Ti/Au金属层。
5.根据权利要求1所述的N型GaN极化掺杂欧姆接触电极，其特征在于所述Si厚度为1nm～5nm。
6.根据权利要求3所述的N型GaN极化掺杂欧姆接触电极，其特征在于所述Ti厚度为10nm～20nm。
7.根据权利要求3所述的N型GaN极化掺杂欧姆接触电极，其特征在于所述Al厚度为50nm～500nm。
8.根据权利要求4所述的N型GaN极化掺杂欧姆接触电极，其特征在于所述Ni/Au中Ni厚度为20nm～50nm。
9.根据权利要求4所述的N型GaN极化掺杂欧姆接触电极，其特征在于所述Ni/Au中Au厚度为50nm～2um。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国电子科技集团公司第十三研究所，未经中国电子科技集团公司第十三研究所许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201720784788.9/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
