[实用新型]一种具有绝缘功能的半导体器件有效

专利信息
申请号: 201720785321.6 申请日: 2017-07-01
公开(公告)号: CN206947376U 公开(公告)日: 2018-01-30
发明(设计)人: 余宏 申请(专利权)人: 贵州师范学院
主分类号: H01L33/48 分类号: H01L33/48;H01L33/58;H01L33/60
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 550018 贵州省贵*** 国省代码: 贵州;52
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摘要:
搜索关键词: 一种 具有 绝缘 功能 半导体器件
【说明书】:

技术领域

实用新型涉及半导体技术领域,具体为一种具有绝缘功能的半导体器件。

背景技术

半导体器件(semiconductor device)通常,这些半导体材料是硅、锗或砷化镓,可用作整流器、振荡器、发光器、放大器、测光器等器材。为了与集成电路相区别,有时也称为分立器件。绝大部分二端器件(即晶体二极管)的基本结构是一个PN结。利用不同的半导体材料、采用不同的工艺和几何结构,已研制出种类繁多、功能用途各异的多种晶体二极,可用来产生、控制、接收、变换、放大信号和进行能量转换。晶体二极管的频率覆盖范围可从低频、高频、微波、毫米波、红外直至光波。三端器件一般是有源器件,典型代表是各种晶体管(又称晶体三极管)。晶体管又可以分为双极型晶体管和场效应晶体管两类。根据用途的不同,晶体管可分为功率晶体管微波晶体管和低噪声晶体管。除了作为放大、振荡、开关用的一般晶体管外,还有一些特殊用途的晶体管,如光晶体管、磁敏晶体管,场效应传感器等。这些器件既能把一些环境因素的信息转换为电信号,又有一般晶体管的放大作用得到较大的输出信号。此外,还有一些特殊器件,如单结晶体管可用于产生锯齿波,可控硅可用于各种大电流的控制电路,电荷耦合器件可用作摄像器件或信息存储器件等。在通信和雷达等军事装备中,主要靠高灵敏度、低噪声的半导体接收器件接收微弱信号。随着微波通信技术的迅速发展,微波半导件低噪声器件发展很快,工作频率不断提高,而噪声系数不断下降。微波半导体器件由于性能优异、体积小、重量轻和功耗低等特性,在防空反导、电子战、C(U3)I等系统中已得到广泛的应用。

晶体二极管的基本结构是由一块P型半导体和一块N型半导体结合在一 起形成一个PN结。在PN结的交界面处,由于P型半导体中的空穴和N型半导体中的电子要相互向对方扩散而形成一个具有空间电荷的偶极层。这偶极层阻止了空穴和电子的继续扩散而使PN结达到平衡状态。当PN结的P端(P型半导体那边)接电源的正极而另一端接负极时,空穴和电子都向偶极层流动而使偶极层变薄,电流很快上升。如果把电源的方向反过来接,则空穴和电子都背离偶极层流动而使偶极层变厚,同时电流被限制在一个很小的饱和值内(称反向饱和电流)。因此,PN结具有单向导电性。此外,PN结的偶极层还起一个电容的作用,这电容随着外加电压的变化而变化。在偶极层内部电场很强。当外加反向电压达到一定阈值时,偶极层内部会发生雪崩击穿而使电流突然增加几个数量级。利用PN结的这些特性在各种应用领域内制成的二极管有:整流二极管、检波二极管、变频二极管、变容二极管、开关二极管、稳压二极管(曾讷二极管)、崩越二极管(碰撞雪崩渡越二极管)和俘越二极管(俘获等离子体雪崩渡越时间二极管)等。此外,还有利用PN结特殊效应的隧道二极管,以及没有PN结的肖脱基二极管和耿氏二极管。

发光二级管是晶体二级管之一,其在PN结的外部包覆有绝缘柱体,以达到对PN结保护和绝缘的目的,但目前的发光二极管的色彩和出光角度难以进行调节。

实用新型内容

(一)解决的技术问题

针对现有技术的不足,本实用新型提供了一种具有绝缘功能的半导体器件,解决了目前的发光二极管的色彩和出光角度难以进行调节的问题。

(二)技术方案

为实现以上目的,本实用新型通过以下技术方案予以实现:一种具有绝缘功能的半导体器件,包括底盘,所述底盘的上表面热塑成型有柱体,柱体的内部设置有空腔,空腔的内壁粘合有反光罩,所述空腔的内部设置与PN结, PN结上焊接有两个引脚,两个引脚远离PN结的一端贯穿并延伸到底盘的下方,所述柱体的侧面开设有第一滑槽和第二滑槽,第二滑槽内滑动连接有扩散片,所述第一滑槽位于第二滑槽的上方,第二滑槽内滑动连接有有色透明板。

优选的,所述第一滑槽和第二滑槽的开口端对称设置在柱体的两侧。

优选的,所述第二滑槽的开口端设置有第二卡槽,所述扩散片远离第二滑槽的一端一体成型有与第二卡槽尺寸相适配的第二限位条。

优选的,所述第一滑槽7的开口端的两侧开设有与其连通的第一卡槽14,所述有色透明板远离第一滑槽的一端设置有与第一卡槽相适配的第一限位条。

优选的,所述柱体的上表面开设有与第一滑槽连通的凹槽。

(三)有益效果

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