[实用新型]一种碳化硅晶体生长装置

说明书

技术领域

本实用新型属于晶体生长技术领域，具体涉及一种碳化硅晶体生长装置。

背景技术

在晶体生长技术中，晶体的生长都是在晶体炉内生长，晶体生长方法主要有火焰法、提拉法、导模法、坩埚下降法、泡生法、定向凝固法等，无论哪种方法，对温场的梯度和稳定性要求都很高。而现有的晶体生长装置，温度控制通常采用肉眼观察，温度控制不稳定，影响晶体的省长质量。另外，晶体生长过程中，热量也损失也比较大。

发明内容

针对上述问题，本实用新型提出了一种碳化硅晶体生长装置，采用本实用新型可以在晶体生长过程中精确控制温场的梯度和稳定性，并且将热量损失降到最低。

本实用新型采用以下技术方案：一种碳化硅晶体生长装置，包括坩埚，坩埚外设有保温层，保温层包括上保温层、下保温层和侧保温层，所述的侧保温层外侧呈阶梯状且厚度由上至下依次增加；侧保温层内侧为锯齿状反射面；坩埚侧壁上均匀分布有加热体I；坩埚底部设有加热体II；加热体I与功率控制器相连，加热体II与升降装置相连。

所述的侧保温层外侧呈阶梯状且厚度由上至下依次增加，使其具有合适的纵向温度梯度，便于提高拉晶速度及降低拉晶周期。侧保温层内侧为锯齿状反射面，可以将发热体I 产生的热量再次反射，提高热量的利用率，降低热损失。加热体I与功率控制器相连，可以听过功率控制器实现温度的实时调节。坩埚底部的加热体II可以对坩埚底部进行加热，加热体II与升降装置相连，可以实现加热体II与坩埚的距离调节，进而实现温度的调节。

进一步的，上保温层和下保温层内侧均为锯齿状反射面，实现对热量的进一步充分利用。

优选的，本申请所述的锯齿状反射面为高纯钼锯齿状反射面。

综上所述，本实用新型结构简单，使用方便，本实用新型可以在晶体生长过程中精确控制温场的梯度和稳定性，保证晶体生长质量，并且还可以将热量损失降到最低。

附图说明

图1为本实用新型结构示意图；

图中：1、坩埚，2、上保温层，3、下保温层，4、侧保温层，5、锯齿状反射面，6、加热体I，7、加热体II，8、功率控制器，9、升降装置，10、籽晶杆。

具体实施方式

一种碳化硅晶体生长装置，包括坩埚1，坩埚1外设有保温层，保温层包括上保温层2、下保温层3和侧保温层4，所述的侧保温层4外侧呈阶梯状且厚度由上至下依次增加；侧保温层4内侧为锯齿状反射面5；坩埚1侧壁上均匀分布有加热体I6；坩埚1底部设有加热体 II7；加热体I6与功率控制器8相连，加热体II7与升降装置9相连。

上保温层2和下保温层3内侧均为锯齿状反射面5。

所述的锯齿状反射面5为高纯钼锯齿状反射面。