[实用新型]一种防污染碳化硅晶体生长装置

说明书

技术领域

本实用新型属于晶体生长技术领域，具体涉及一种防污染碳化硅晶体生长装置。

背景技术

目前，使用晶体生长炉进行生产的工艺中，需要及时了解炉子内部的情况，例如在高温高真空情况下，观察内部液体或者固体变化情况，以及零部件的情况。因此，在保证密封性不受影响的情况下，一般都安装可视视窗，为生产提供帮助。但生长炉的视窗装置普遍面临着一个问题：在长时间的生产过程中，炉子内部的物质会慢慢粘附在视窗内表面，影响视窗清晰度，严重时，视窗会被粘附物完全覆盖，对生产造成不利影响。

发明内容

针对上述问题，本实用新型提出了一种防污染碳化硅晶体生长装置，采用本实用新型不仅可以有效避免视窗被污染，而且有效避免晶体生长过程中温度梯度过大、热应力过大导致晶体开裂的情况。

本实用新型采用以下技术方案：一种防污染碳化硅晶体生长装置，包括炉体和炉盖，炉体内设有坩埚，炉盖上嵌有观察窗；炉盖内侧旋转杆I，旋转杆I上与观察窗对应位置设有擦拭装置和和收集盒，擦拭装置位于收集盒上方；旋转杆I通过旋转杆II与炉盖相连，旋转杆II与炉盖上方的把手相连。

具体使用时，当观察窗上粘有粘附物时，使用者可以通过控制把手控制旋转杆II转动，进而控制旋转杆I转动，擦拭装置降粘附物擦除。收集盒用于收集掉落的粘附物，防止粘附物调入坩埚中影响晶体生长。

所述的收集盒的横截面积大于擦拭装置的横截面积，可以保证粘附物全部掉落于收集盒中。

所述的坩埚具有真空夹层，使得坩埚本体具有遮热作用，当温场发生波动时，内部熔体感知温场变化的能力大大延迟和削弱，具有屏蔽热场波动的能力，更利于晶体的稳定成长。

所述坩埚的坩埚壁与坩埚底通过弧形拐角连接，能够优化生长炉内温场分布，降低其内部轴向温度梯度，避免热应力过大导致晶体开裂。另外，增加晶体生长中熔体的区域稳定性，阻止其它晶面的形成，从而降低晶体内部热应力，提高晶体的质量。

综上所述，本实用新型结构简单，既可以有效避免视窗被污染，又有效避免晶体生长过程中温度梯度过大、热应力过大导致晶体开裂的情况，提高了晶体的质量。

附图说明

图1为本实用新型结构示意图；

图2为图1中A部分俯视图；

图中：1、炉体，2、炉盖，3、坩埚，4、观察窗，5、旋转杆I，6、擦拭装置，7、收集盒，8、旋转杆II，9、把手，10、真空夹层，11、弧形拐角。

具体实施方式

一种防污染碳化硅晶体生长装置，包括炉体1和炉盖2，炉体1内设有坩埚3，炉盖2 上嵌有观察窗4；炉盖2内侧旋转杆I5，旋转杆I5上与观察窗4对应位置设有擦拭装置6 和和收集盒7，擦拭装置位6于收集盒7上方；旋转杆I5通过旋转杆II8与炉盖2相连，旋转杆II8与炉盖2上方的把手9相连。

所述的收集盒7的横截面积大于擦拭装置6的横截面积。

所述的坩埚3具有真空夹层10。

所述坩埚3的坩埚壁与坩埚底通过弧形拐角11连接。