[实用新型]MEMS麦克风有效
| 申请号： | 201720788983.9 | 申请日： | 2017-06-30 |
| 公开（公告）号： | CN206932406U | 公开（公告）日： | 2018-01-26 |
| 发明（设计）人： | 郝红蕾;李江龙 | 申请（专利权）人： | 歌尔科技有限公司 |
| 主分类号： | H04R19/04 | 分类号： | H04R19/04 |
| 代理公司： | 北京鸿元知识产权代理有限公司11327 | 代理人： | 张超艳,袁文婷 |
| 地址： | 266100 山东省青岛*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | mems 麦克风 | ||
1.一种MEMS麦克风，包括背极板、与所述背极板相对设置的振膜；其特征在于，
所述背极板包括面向所述振膜的第一表面，在所述第一表面设置有介质层；其中，
设置在所述第一表面的中间部分的介质层的介电常数小于设置在所述第一表面的周边部分的介质层的介电常数。
2.如权利要求1所述的MEMS麦克风，其特征在于，
设置在所述第一表面的中间部分的介质层的厚度与设置在所述第一表面的周边部分的介质层的厚度相同。
3.如权利要求1所述的MEMS麦克风，其特征在于，
设置在所述第一表面的中间部分的介质层为二氧化硅层，设置在所述第一表面的周边部分的介质层为氮化硅层。
4.如权利要求1所述的MEMS麦克风，其特征在于，
设置在所述第一表面的中间部分的介质层和设置在所述第一表面的周边部分的介质层均为氮化硅层。
5.如权利要求1所述的MEMS麦克风，其特征在于，
设置在所述第一表面的中间部分的介质层和设置在所述第一表面的周边部分的介质层均为二氧化硅层。
6.如权利要求1所述的MEMS麦克风，其特征在于，
沿所述背极板的厚度方向设置有贯孔，且所述贯孔贯穿所述介质层。
7.如权利要求1所述的MEMS麦克风，其特征在于，
所述介质层通过淀积方式形成。
8.如权利要求6所述的MEMS麦克风，其特征在于，
所述背极板通过淀积方式形成，且所述介质层的形成先于所述背极板的形成。
9.如权利要求1～7中任意一项所述的MEMS麦克风，其特征在于，还包括：
基底，所述振膜和所述背极板悬设于所述基底的上方。
10.如权利要求9所述的MEMS麦克风，其特征在于，
所述基底为氮化硅基底、单晶硅基底或者多晶硅基底。
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