[实用新型]CMOS两级运算放大电路、芯片有效
申请号: | 201720789517.2 | 申请日: | 2017-06-30 |
公开(公告)号: | CN206835055U | 公开(公告)日: | 2018-01-02 |
发明(设计)人: | 聂海;宋登明 | 申请(专利权)人: | 成都市海芯微纳电子科技有限公司;成都信息工程大学 |
主分类号: | H03F3/45 | 分类号: | H03F3/45;H03F3/16 |
代理公司: | 北京华智则铭知识产权代理有限公司11573 | 代理人: | 陈向敏 |
地址: | 610093 四川*** | 国省代码: | 四川;51 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | cmos 两级 运算 放大 电路 芯片 | ||
1.一种CMOS两级运算放大电路,其特征在于,包括带隙基准源电路、第一级运算放大电路、偏置电路、反相器电路和第二级运算放大电路,其中,所述第一级运算放大电路采用折叠式共源共栅放大器结构,所述偏置电路采用NMOS管和电阻串联的结构,所述第二级运算放大电路采用以NMOS管作为输入的电流源负载共源级放大器;
所述带隙基准源电路与所述第一级运算放大电路连接,用于向所述第一级运算放大电路提供与绝对温度成比例的电流;
所述偏置电路分别向与其连接的所述第一级运算放大电路和所述反相器电路提供偏置电压;
所述反相电路与所述第一级运算放大电路的输出端连接,用于将所述第一级运算放大电路输出的双端信号转换成单端信号,并将所述单端信号输出至所述第二级运算放大电路。
2.根据权利要求1所述的CMOS两级运算放大电路,其特征在于,所述与绝对温度成比例的电流,由所述带隙基准源电路中的三极管产生的具有正温度系数电流流经由PMOS管构成的电流镜结构产生。
3.根据权利要求1所述的CMOS两级运算放大电路,其特征在于,所述反相器电路采用PMOS管作为输入端。
4.根据权利要求1所述的CMOS两级运算放大电路,其特征在于,所述第二级运算放大电路采用NMOS管作为输入端。
5.一种芯片,其特征在于,包括芯片本体和权利要求1至4任意一项所述的CMOS两级运算放大电路。
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