[实用新型]一种降低导通电阻的功率半导体器件

权利要求书

1.一种降低导通电阻的功率半导体器件，包括元胞区（14）和终端保护区（15），所述元胞区（14）位于器件的中心区，所述终端保护区（15）环绕在所述元胞区（14）的周围，所述元胞区（14）包括半导体基板，所述半导体基板包括第一导电类型衬底（02）及位于第一导电类型衬底（02）上的第一导电类型漂移区（01），所述第一导电类型漂移区（01）的上表面为半导体基板的第一主面（001），所述第一导电类型衬底（02）的下表面为半导体基板的第二主面（002）；所述第一导电类型漂移区（01）内设置有若干超结结构，所述超结结构由第一导电类型柱（03）和第二导电类型柱（04）交替排布而成，所述第一导电类型柱（03）和第二导电类型柱（04）沿着第一主面（001）指向第二主面（002）的方向延伸；在第二导电类型柱（04）上设有第二导电类型体区（05），且第二导电类型体区（05）设于第一导电漂移区（01）内，所述第二导电类型体区（05）内设有第一导电类型源区（06），所述第一导电类型源区（06）设置在第二导电类型体区（05）的两侧，所述第二导电类型体区（05）之间设有栅氧化层（08）和栅极多晶硅（09），所述栅极多晶硅（09）上覆盖有第一绝缘介质层（10），所述半导体基板的第一主面（001）上设置源极金属（11），所述源极金属（11）与第二导电类型体区（05）、第一导电类型源区（06）欧姆接触，半导体基板的第二主面（002）下设置漏极金属（12），所述漏极金属（12）与第一导电类型衬底（02）欧姆接触，其特征在于：所述第一导电类型柱（03）和第二导电类型柱（04）之间设置有第二绝缘介质层（13），所述第二绝缘介质层（13）顶端在第二导电类型体区（05）底部下方0µm至10µm处，且底端在第二导电类型柱（04）底部上方0µm至10µm处。

2.根据权利要求1所述的一种降低导通电阻的功率半导体器件，其特征在于：对于N型功率半导体器件，所述第一导电类型为N型导电，所述第二导电类型为P型导电；对于P型功率半导体器件，所述第一导电类型为P型导电，所述第二导电类型为N型导电。

3.根据权利要求1所述的一种降低导通电阻的功率半导体器件，其特征在于：所述第二导电类型柱（04）底部不存在第二绝缘介质层（13），且与第一导电类型漂移区（01）连接。

4.根据权利要求1所述的一种降低导通电阻的功率半导体器件，其特征在于：所述第二绝缘介质层（13）的厚度范围为0.0001µm至10µm。

5.根据权利要求1所述的一种降低导通电阻的功率半导体器件，其特征在于：根据器件类型，所述功率半导体器件为金属氧化物半导体场效应晶体管或绝缘栅双极型晶体管，根据器件栅极结构，所述功率半导体器件为沟槽栅型器件或平面栅型器件。

6.根据权利要求1所述的一种降低导通电阻的功率半导体器件，其特征在于，所述栅氧化层（08）和栅极多晶硅（09）同时位于第一导电类型源区（06）之间。