[实用新型]二极管有效
| 申请号： | 201720811353.9 | 申请日： | 2017-07-06 |
| 公开（公告）号： | CN207217553U | 公开（公告）日： | 2018-04-10 |
| 发明（设计）人： | 徐哲;刘钺杨;吴迪;曹功勋;和峰;何延强;王耀华;刘江;崔磊;金锐;温家良;潘艳 | 申请（专利权）人： | 全球能源互联网研究院有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/868 | 分类号： | H01L29/868 |
| 代理公司： | 北京三聚阳光知识产权代理有限公司11250 | 代理人： | 马永芬 |
| 地址： | 102209 北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 二极管 | ||
【权利要求书】：
1.一种二极管，其特征在于，包括：
依次分布的阳极P区、阴极N-区和阴极N+区；其中，在所述N-区中设置有N型控制区，其中所述N型控制区的平均掺杂浓度大于所述N-区的平均掺杂浓度，所述N型控制区的厚度小于所述N-区的厚度。
2.根据权利要求1所述的二极管，其特征在于，所述N型控制区的平均掺杂浓度小于所述N+区的平均掺杂浓度。
3.根据权利要求1所述的二极管，其特征在于，包括：
所述N型控制区的掺杂浓度为1e12～1e15cm-3。
4.根据权利要求1所述的二极管，其特征在于，所述N型控制区的浓度分布方式包括以下至少之一：
均匀分布、阶梯式分布、高斯分布。
5.根据权利要求1所述的二极管，其特征在于，所述N型控制区设置于距离所述二极管背面预定距离处，所述预定距离大于所述N+区的厚度。
6.根据权利要求5所述的二极管，其特征在于，所述预定距离为20～500um。
7.根据权利要求1所述的二极管，其特征在于，所述N型控制区的厚度为15～100um。
8.根据权利要求1至7中任一所述的二极管，其特征在于，通过以下至少之一的方式生成所述N型控制区：
在所述N-区的预设位置通过离子注入的方式生成所述N型控制区；
在所述N-区的基础上通过外延增加的方式设置所述N型控制区。
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