[实用新型]一种耐高压抗冻超声波换能器

权利要求书

1.一种耐高压抗冻超声波换能器，包含传感器外壳(1)和压电陶瓷晶片(2)，压电陶瓷晶片设置在传感器外壳内；其特征在于：传感器外壳上设有减压结构(4)，所述减压结构(4)，位于传感器外壳与压电陶瓷晶片(2)接触的部位及其周围，传感器外壳与减压结构(4)形成一个整体结构。

2.根据权利要求1所述的一种耐高压抗冻超声波换能器，其特征在于：所述减压结构(4)，改变传感器外壳与压电陶瓷晶片(2)接触部位周围的平整形态。

3.根据权利要求1或2所述的一种耐高压抗冻超声波换能器，其特征在于：所述减压结构，数量是一个及以上。

4.根据权利要求1或2所述的一种耐高压抗冻超声波换能器，其特征在于：所述减压结构(4)为环状减压结构，在传感器外壳与压电陶瓷晶片(2)接触部位周围设置环状沟槽，环状沟槽的内径大于或等于压电陶瓷晶片外径。

5.根据权利要求1或2所述的一种耐高压抗冻超声波换能器，其特征在于：所述减压结构(4)为凸台减压结构，在传感器外壳与压电陶瓷晶片接触部位周围设置阶梯状凸台，阶梯状凸台的外径大于或等于压电陶瓷晶片外径。

6.根据权利要求1或2所述的一种耐高压抗冻超声波换能器，其特征在于：所述减压结构与传感器外壳做成一体，整体为一体结构；或者为分体结构，减压结构和传感器外壳固定在一起。

7.一种耐高压抗冻超声波换能器，包含晶片保护套(3)、传感器外壳(1)和压电陶瓷晶片(2)，压电陶瓷晶片(2)设置在晶片保护套(3)内，晶片保护套(3)固定在传感器外壳(1)上；其特别之处在于：晶片保护套(3)上设有减压结构(4)，所述减压结构(4)，位于晶片保护套(3)与压电陶瓷晶片(2)接触的部位及其周围，晶片保护套(3)与减压结构(4)通过焊接连接形成一个整体结构。

8.根据权利要求7所述的一种耐高压抗冻超声波换能器，其特征在于：所述减压结构(4)，改变晶片保护套(3)与压电陶瓷晶片(2)接触部位周围的平整形态。

9.根据权利要求7或8所述的一种耐高压抗冻超声波换能器，其特征在于；所述减压结构，数量是一个及以上。

10.根据权利要求7所述的一种耐高压抗冻超声波换能器，其特征在于：所述减压结构与晶片保护套做成一体，整体为一体结构；或者为分体结构，减压结构和晶片保护套固定在一起。