[实用新型]一种高频隔离交直流变换电路

权利要求书

1.一种高频隔离交直流变换电路，其特征在于：由一单相交流源(V1)、一直流源(V2)、一第一电容(C1)、一第二电容(C2)、一高压储能滤波器(C)、一高频全桥逆变电路(100)、一高频半桥逆变电路(200)、一第一电感(L1)、一第二电感(L2)、一高频隔离变压器(T)、一直流侧同步开关(300)、用于驱动开关管的驱动电路以及与所述驱动电路连接的控制电路构成；其中，第一电容(C1)与单相交流源(V1)并联，第二电容(C2)与直流源(V2)并联；所述高频全桥逆变电路(100)和所述高频半桥逆变电路(200)均是基于开关管的逆变桥；

在所述高频全桥逆变电路(100)中：第一、第二交流端分别连接至第一电感(L1)的第二端和第一电容(C1)的第二端，第一、第二直流端分别连接至高压储能滤波器(C)的正极(+BUS)和负极(-BUS)；第一电感(L1)的第一端与第一电容(C1)的第一端相连；

在所述高频半桥逆变电路(200)中：第一、第二直流端分别连接至高压储能滤波器(C)的正极(+BUS)和负极(-BUS)，第一交流端通过第二电感(L2)连接至高频隔离变压器(T)单相交流源侧的其中一端(4)，第二交流端连接至高频隔离变压器(T)单相交流源侧的另外一端(5)；

所述直流侧同步开关(300)由第一开关管(Q1)和第二开关管(Q2)构成，第一、第二开关管(Q1、Q2)的漏极分别连接至高频隔离变压器(T)直流源侧的第一、第三端(1、3)，第一、第二开关管(Q1、Q2)的源极均连接至所述直流源(V2)的负极；

所述高频隔离变压器(T)直流源侧的第二端(2)连接至所述直流源(V2)的正极。

2.如权利要求1所述的高频隔离交直流变换电路，其特征在于：所述高频半桥逆变电路(200)由第三、第四电容(C3、C4)以及第三、第四开关管(Q3、Q4)构成；第三电容(C3)的第一端与第三开关管(Q3)的漏极相连并引出形成所述高频半桥逆变电路(200)的第一直流端，第四电容(C4)的第一端与第四开关管(Q4)的源极相连并引出形成所述高频半桥逆变电路(200)的第二直流端；第三开关管(Q3)的源极与第四开关管(Q4)的漏极相连并引出形成所述高频半桥逆变电路(200)的第一交流端，第三、第四电容(C3、C4)的第二端相连并引出形成所述高频半桥逆变电路(200)的第二交流端。

3.如权利要求2所述的高频隔离交直流变换电路，其特征在于：所述第三和第四电容均为高频无极电容。

4.如权利要求1所述的高频隔离交直流变换电路，其特征在于：所述高频隔离变压器(T)直流源侧的线圈匝数低于4匝，且具有漏感。

5.如权利要求1所述的高频隔离交直流变换电路，其特征在于：所述高频全桥逆变电路(100)由四个开关管构成，所述四个开关管均为NMOS场效应管。